【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
在专利文献1中公开了RC-IGBT(Reverse-conducting-InsulatedGateBipolarTransistor)。就专利文献1的半导体装置而言，在半导体基板的第1主面侧的区域A设置发射极层，在区域B不设置发射极层。另外，在半导体基板的第2主面侧的区域A设置集电极P层，在区域B设置阴极N层。即，在区域A构成IGBT，在区域B构成二极管。专利文献1：日本特开2008-53648号公报
技术实现思路
就RC-IGBT而言，当在IGBT的栅极电压为0V时二极管进行动作的情况下，从n型阴极区域注入至n型漂移层的电子流入p型阳极层。并且，通过从p型阳极层注入空穴，从而引起电导率调制。由此，实现低电阻化。另一方面，当在向IGBT施加有栅极电压的状态下二极管进行动作的情况下，有时产生骤回。在IGBT与二极管的边界附近，由于在IGBT形成的n型反转层，有时成为二极管的n型阴极区域与IGBT的n型发射极区域短路的状态。其结果，从n型阴极...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n基板，其具有IGBT区域、二极管区域、以及所述IGBT区域与所述二极管区域之间的高电阻区域；/n第1电极，其设置于所述基板的上表面；以及/n第2电极，其设置于所述基板的与上表面相反侧的面即背面，/n就所述高电阻区域而言，所述基板的上表面与所述第1电极之间的接触电阻或者所述基板的背面与所述第2电极之间的接触电阻比所述二极管区域大，/n所述高电阻区域的宽度大于或等于所述基板的厚度。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
基板，其具有IGBT区域、二极管区域、以及所述IGBT区域与所述二极管区域之间的高电阻区域；
第1电极，其设置于所述基板的上表面；以及
第2电极，其设置于所述基板的与上表面相反侧的面即背面，
就所述高电阻区域而言，所述基板的上表面与所述第1电极之间的接触电阻或者所述基板的背面与所述第2电极之间的接触电阻比所述二极管区域大，
所述高电阻区域的宽度大于或等于所述基板的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述二极管区域，所述基板在背面侧具有阴极层，
在所述高电阻区域，所述基板在背面侧具有n型扩散层，
所述n型扩散层的杂质浓度比所述阴极层低，
所述n型扩散层与所述第2电极之间的接触电阻比所述阴极层与所述第2电极之间的接触电阻大。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述二极管区域，所述基板在背面侧具有阴极层，
在所述高电阻区域，所述基板在背面侧具有杂质浓度与所述阴极层相等的n型扩散层，
所述第2电极中的与所述阴极层接触的部分和与所述n型扩散层接触的部分由不同的材质形成，
所述n型扩散层与所述第2电极之间的接触电阻比所述阴极层与所述第2电极之间的接触电阻大。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2电极中的与所述阴极层接触的部分由NiSi形成，
所述第2电极中的与所述n型扩散层接触的部分由AlSi形成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1电极在所述IGBT区域、所述二极管区域以及所述高电阻区域具有与所述基板的上表面接触的阻挡金属，
所述基板中的与所述阻挡金属接触的部分的杂质浓度在所述高电阻区域比所述IGBT区域以及所述二极管区域低，
在所述高电阻区域，所述基板与所述阻挡金属之间的接触电阻比所述二极管区域大。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
在所述IGBT区域，所述基板在上表面侧具有基极层，
在所述二极管区域，所述基板在上表面侧具有阳极层，
在所述高电阻区域，所述基板在上表面侧具有p型扩散层，
所述基极层、所述阳极层和所述p型扩散层的杂质浓度相等，
所述基板在所述基极层与所述阻挡金属之间以及所述阳极层与所述阻挡金属之间具有与所述阳极层相比杂质浓度高、与所述阻挡金属接触的接触层，
在所述高电阻区域，与所述阻挡金属接触的部分的杂质浓度比所...
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