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本发明涉及的半导体装置具有：基板，其具有IGBT区域、二极管区域、以及IGBT区域与二极管区域之间的高电阻区域；第1电极，其设置于基板的上表面；以及第2电极，其设置于基板的与上表面相反侧的面即背面，就高电阻区域而言，基板的上表面与第1电极之...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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