一种适应高集成度半导体模块的封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种适应高集成度半导体模块的封装结构，包括基板、焊盘、集成电路封装、金球、锡球、开关、滤波器和热固形树脂，所述焊盘设于基板上，所述集成电路封装设于焊盘上，所述金球设于滤波器上，所述锡球设于开关上，所述金球与集成电路封装相连，所述锡球与集成电路封装相连，所述热固形树脂设于开关和滤波器上。本发明专利技术属于半导体模块封装技术领域，具体是一种适应高集成度半导体模块的封装结构，降低锡球、铜柱因贴装精度不够导致卡球、虚焊的风险，解决了芯片金球凸点超声焊接的不稳定因素，基板的焊盘开窗不受间距大小受限制。

【技术实现步骤摘要】
一种适应高集成度半导体模块的封装结构
本专利技术属于半导体模块封装
，具体是指一种适应高集成度半导体模块的封装结构。
技术介绍
随着市场需求，消费类电子产品的尺寸要求越来越小，所搭载核心半导体器件的集成度要求越来越高，对模块尺寸小型化要求越来越高，传统的封装已经无法满足高集成、高性能模块产品。目前常见的倒装方式有如下分类：采用芯片预先加工的凸点(锡球或铜柱)，通过倒装的方式，使芯片与基板上的焊盘导通，再进行高温回流炉焊接，达到芯片与基板的结合效果加固；1)声表面波模块产品若采用锡球倒装工艺，则因开关芯片凸点数量比较多，凸点与凸点之间间距太小，对应的基板焊盘开窗要小于凸点直径，所以倒装的时候芯片凸点与基板焊盘容易产生卡球，而造成虚焊，致使损耗变大或者完全失效。2)声表面波模块产品若采用铜柱倒装工艺，在高低温冲击可靠性条件，在铜柱与芯片结合处容易产生裂痕，导致产品损耗变大或者完全失效。采用芯片植金球(金凸点)，通过倒装的方式，借用设备的超声波能量、压力、温度等物理特性，使芯片与基板上的焊盘导通结合；声表面波模块产品若采用金球超声倒装工艺，则因金球高度一致性不受控，容易与基板结合处产生裂痕，导致产品损耗变大或者完全失效。
技术实现思路
针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种适应高集成度半导体模块的封装结构，降低锡球、铜柱因贴装精度不够导致卡球、虚焊的风险，解决了芯片金球凸点超声焊接的不稳定因素，基板的焊盘开窗不受间距大小受限制。本专利技术采取的技术方案如下：本专利技术一种适应高集成度半导体模块的封装结构，包括基板、焊盘、集成电路封装、金球、锡球、开关、滤波器和热固形树脂，所述焊盘设于基板上，所述集成电路封装设于焊盘上，所述金球设于滤波器上，所述锡球设于开关上，所述金球与集成电路封装相连，所述锡球与集成电路封装相连，所述热固形树脂设于开关和滤波器上。一种适应高集成度半导体模块的封装结构的封装方法，包括如下步骤：1)准备芯片；2)在部分芯片上植金球，在部分芯片上植锡球；3)根据工艺技术要求，将芯片通过Flip-Chip方式贴装在基板上的焊盘上；4)芯片贴装后经过高温回流炉，实现芯片与基板焊盘的结合；5)在芯片的表面贴上热固型树脂进行保护。进一步地，步骤1)所述的芯片包括开关和滤波器等。本专利技术取得的有益效果如下：本方案一种适应高集成度半导体模块的封装结构，降低锡球、铜柱因贴装精度不够导致卡球、虚焊的风险，解决了芯片金球凸点超声焊接的不稳定因素，基板的焊盘开窗不受间距大小受限制。附图说明图1为本专利技术适应高集成度半导体模块的封装结构的分离状态示意图；图2为本专利技术适应高集成度半导体模块的封装结构的焊接状态示意图。其中，1、基板，2、焊盘，3、集成电路封装，4、金球，5、锡球，6、开关，7、滤波器，8、热固形树脂。附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1-2所示，本专利技术适应高集成度半导体模块的封装结构，包括基板1、焊盘2、集成电路封装3、金球4、锡球5、开关6、滤波器7和热固形树脂8，所述焊盘2设于基板1上，所述集成电路封装3设于焊盘2上，所述金球4设于滤波器7上，所述锡球5设于开关6上，所述金球4与集成电路封装3相连，所述锡球5与集成电路封装3相连，所述热固形树脂8设于开关6和滤波器7上。一种适应高集成度半导体模块的封装结构的封装方法，包括如下步骤：1)准备芯片；2)在部分芯片上植金球4，在部分芯片上植锡球5；3)根据工艺技术要求，将芯片通过Flip-Chip方式贴装在基板1上的焊盘2上；4)芯片贴装后经过高温回流炉，实现芯片与基板1焊盘2的结合；在芯片的表面贴上热固型树脂进行保护。步骤1)所述的芯片包括开关6和滤波器7等。具体使用时，用户将开关6和滤波器7等芯片准备好，在开关6上植锡球5，在滤波器7上植金球4，根据工艺技术要求，通过Flip-Chip方式贴装在基板1上的焊盘2上，贴装后经过高温回流炉，实现开关6和滤波器7与基板1焊盘2的结合，然后在开关6和滤波器7的表面贴上热固型树脂进行保护，以上便是本专利技术整体的工作流程，下次使用时重复此步骤即可。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。以上对本专利技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本专利技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本专利技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适应高集成度半导体模块的封装结构，其特征在于：包括基板、焊盘、集成电路封装、金球、锡球、开关、滤波器和热固形树脂，所述焊盘设于基板上，所述集成电路封装设于焊盘上，所述金球设于滤波器上，所述锡球设于开关上，所述金球与集成电路封装相连，所述锡球与集成电路封装相连，所述热固形树脂设于开关和滤波器上。/n

【技术特征摘要】
1.一种适应高集成度半导体模块的封装结构，其特征在于：包括基板、焊盘、集成电路封装、金球、锡球、开关、滤波器和热固形树脂，所述焊盘设于基板上，所述集成电路封装设于焊盘上，所述金球设于滤波器上，所述锡球设于开关上，所述金球与集成电路封装相连，所述锡球与集成电路封装相连，所述热固形树脂设于开关和滤波器上。


2.一种适应高集成度半导体模块的封装结构，其特征在于，包括如下步骤：

【专利技术属性】
技术研发人员：刘石桂，朱德进，王婕，张伟，钱伟，沈广飞，李前宝，马阳阳，
申请(专利权)人：天通凯美微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33