半导体设备封装和其制造方法技术

本揭露有关一种半导体设备封装和其制造方法。所述半导体设备封装包含载体、电子组件和连接器。所述电子组件安置在所述载体上。所述连接器安置在所述载体上并且电连接到所述电子组件。所述连接器的S11参数小于‑20dB。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备封装和其制造方法
本公开涉及一种半导体设备封装，并且更具体地涉及一种包含一或多个连接器的半导体设备封装。
技术介绍
在现有的电气设备中，电子组件(例如，芯片、管芯、无源组件)和许多高速总线连接器安装在印刷电路板(PCB)上，并且电子组件通过PCB和总线连接器彼此通信。然而，PCB上的信号传输路径长会引起传输损耗问题和散热问题。另外，从一个连接器发射到电子组件的或从一个连接器发射到另一个连接器的信号将经过各种媒体，这将引起阻抗失配问题。
技术实现思路
在一些实施例中，一种半导体设备封装包含载体、电子组件和连接器。所述电子组件安置在所述载体上。所述连接器安置在所述载体上并且电连接到所述电子组件。所述连接器的S11参数小于-20dB。在一些实施例中，一种半导体设备封装包含载体、电子组件和连接器。所述电子组件安置在所述载体上。所述连接器安置在所述载体上并且电连接到所述电子组件。所述连接器具有第一组引脚、第二组引脚和公共接地引脚，所述公共接地引脚安置在所述第一组引脚与所述第二组引脚之间以分离所述第一组引脚和所述第二组引脚。在一些实施例中，一种半导体设备封装包含载体、电子组件和连接器。所述电子组件安置在所述载体上。所述连接器安置在所述载体上并且电连接到所述电子组件。所述连接器具有第一组引脚和第二组引脚。所述第一组引脚中的两个相邻引脚的间距不同于所述第二组引脚中的两个相邻引脚的间距。在一些实施例中，一种用于制造连接器的方法包含：(a)提供载体；(b)将第一组引脚、第二组引脚和公共接地引脚安置在所述载体上，所述公共接地引脚安置在所述第一组引脚与所述第二组引脚之间以分离所述第一组引脚和所述第二组引脚；以及(c)形成绝缘层以覆盖所述第一组引脚、所述第二组引脚和所述公共接地引脚，并且暴露所述第一组引脚、所述第二组引脚和所述公共接地引脚的顶部部分。附图说明当与附图一起阅读以下详细描述时，根据以下详细描述最好地理解本公开的实施例的各方面。注意，各种结构可能未按比例绘制，并且为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种结构的尺寸。图1展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。图2展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的透视图。图3A、图3B、图3C、图3D、图3E和图3F展示了根据本公开的一些实施例的半导体制造方法。图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F和图4G展示了根据本公开的一些实施例的半导体制造方法。贯穿附图和详细描述，使用共同的附图标记来指示相同或类似的组件。可以根据结合附图作出的以下详细描述最好地理解本公开。具体实施方式图1展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装1的横截面视图。图2展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装1的透视图(为清楚起见，如图1所示的元件中的一些元件在图2中省略)。半导体设备封装1包含载体10、电子组件11a、11b、连接器模块12、导电通孔13、屏蔽层14和封装体15。载体10可以包含例如印刷电路板，如纸基铜箔层压板、复合铜箔层压板或聚合物浸渍玻璃纤维基铜箔层压板。载体10可以包含互连结构，如多个导电迹线或通孔。在一些实施例中，载体10包含陶瓷材料或金属板。在一些实施例中，载体10可以包含衬底，如有机衬底。在一些实施例中，载体10可以包含两层衬底，所述两层衬底包含核心层和安置在载体10的上表面和底表面上的导电材料和/或结构。导电材料和/或结构可以包含多条迹线。在载体10上安置电子组件11a、11b。电子组件11a可以是有源组件，如集成电路(IC)芯片或管芯。电子组件11b可以是无源组件，如电容器、电阻器或电感器。每个电子组件11a、11b可以电连接到另一个电子组件11a、11b中的一或多个电子组件以及载体10，并且可以通过倒装芯片或引线键合技术来实现电连接。通过例如电触点12s1(例如，焊球)在载体10上安置连接器模块12。连接器模块12电连接到电子组件11a和/或11b。在一些实施例中，连接器模块12包含一或多个连接器12a、12b和12c。根据设计规范，连接器模块12可以包含任意数量的连接器。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c是总线连接器。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c是高速总线连接器。例如，连接器12a、12b和12c中的每个连接器的带宽可以在约100MHz到约100GHz的范围内。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c是不同类型的连接器。例如，如图2所示，连接器12a、12b和12c具有不同数量的引脚。例如，连接器12a的引脚的间距(即，两个相邻引脚之间的距离)不同于连接器12b或12c的引脚的间距。例如，连接器12a的引脚的直径不同于连接器12b或12c的引脚的直径。例如，连接器12a的引脚的材料不同于连接器12b或12c的引脚的材料。例如，连接器12a的带宽或数据传输速率不同于连接器12b或12c的带宽或数据传输速率。在其它实施例中，连接器12a、12b和12c可以是或可以包含相同类型的连接器。如图2所示，连接器12a、12b和12c中的每个连接器被接地引脚12g围绕。例如，接地引脚12g安置在连接器12a、12b和12c中的每个连接器的外围。例如，连接器12a、12b和12c由接地引脚12g彼此分离。接地引脚12g可以提供屏蔽能力，以防止两个相邻的连接器之间产生干扰(例如，串扰)。在一些实施例中，相邻的连接器(例如，“连接器12a和连接器12b”或“连接器12a和连接器12c”)可以共享公共接地引脚12g。例如，在连接器12a与连接器12b之间或者在连接器12a与连接器12c之间只有一行接地引脚12g。在其它实施例中，连接器12a、12b和12c中的每个连接器可以包含其单独的接地引脚。例如，可以在两个相邻的连接器之间安置两行或两行以上的引脚。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c可以设计用于发射单端信号、差分信号或其组合。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c的引脚由铜形成或包含铜。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c的引脚的长度可以在约300微米(μm)到约2000μm的范围内。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c的引脚的直径可以在约200μm到约500μm的范围内。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c中的每个连接器的两个相邻信号引脚的间距在约1毫米(mm)到约3.5mm的范围内。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c中的每个连接器的信号引脚与相邻接地引脚之间的距离在约1mm到约5mm的范围内。在一些实施例中，连接器12a、12b和12c的引脚中的每个引脚的阻抗可以在约90Ohm到约100Ohm的范围内。在一些实施例中，当通过连接器12a、12b和12c发射的信号的频率在约100MHz到约25GHz的范围内时，连接器12a、12b和12c的S11参数小于-20dB。表I示出了根据本公开的一些实施例的针对各种操作频率的连接器12a、1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备封装，其包括：/n载体；/n电子组件，所述电子组件安置在所述载体上；以及/n连接器，所述连接器安置在所述载体上并且电连接到所述电子组件，/n其中所述连接器的S11参数小于-20dB。/n

【技术特征摘要】
20200122 US 16/749,6351.一种半导体设备封装，其包括：
载体；
电子组件，所述电子组件安置在所述载体上；以及
连接器，所述连接器安置在所述载体上并且电连接到所述电子组件，
其中所述连接器的S11参数小于-20dB。


2.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中通过所述连接器发射的信号的频率在约100MHz到约25GHz的范围内。


3.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述连接器包含第一组引脚和第二组引脚。


4.根据权利要求3所述的半导体设备封装，其中所述第一组引脚和所述第二组引脚具有公共接地引脚，所述公共接地引脚安置在所述第一组引脚与所述第二组引脚之间。


5.根据权利要求3所述的半导体设备封装，其中所述连接器进一步包括多个接地引脚，所述多个接地引脚围绕所述第一组引脚和所述第二组引脚。


6.根据权利要求3所述的半导体设备封装，其中所述第一组引脚中的两个相邻引脚的间距不同于所述第二组引脚中的两个相邻引脚的间距。


7.根据权利要求3所述的半导体设备封装，其中所述第一组引脚和所述第二组引脚的引脚数量不同。


8.根据权利要求3所述的半导体设备封装，其中所述第一组引脚或所述第二组引脚中的两个相邻引脚的间距在约1毫米(mm)到约3mm的范围内。


9.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括划区屏蔽，所述划区屏蔽安置在所述电子组件与所述连接器之间。


10.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括封装体，所述封装体安置在所述载体上，以覆盖所述电子组件并暴露所述连接器的一部分。


11.根据权利要求10所述的半导体设备封装，其进一步包括屏蔽层，所述屏蔽层安置在所述封装体上并暴露所述连接器的所述部分。


12.一种半导体设备封装，其包括：
载体；
电子组件，所述电子组件安置在所述载体上；以及
连接器，所述连接器安置在所述载体上并且电连接到所述电子组件，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：余远灏，陈政远，陈俊辰，李基铭，毒健文，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71