一种可提高抗还原能力的微波陶瓷介质材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种可提高抗还原能力的微波陶瓷介质材料及其制备方法，所述微波陶瓷介质材料的主晶相结构为(1‑x)Mg

【技术实现步骤摘要】
一种可提高抗还原能力的微波陶瓷介质材料及其制备方法
本专利技术属于无机非金属材料领域，具体是一种可提高抗还原能力的微波陶瓷介质材料及其制备方法。
技术介绍
微波介质陶瓷是指应用于微波频段(300MHz-300GHz频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通信中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片、介质天线、介质导波回路等。微波介质谐振器与金属空腔谐振器相比,具有体积小、质量轻、温度稳定性好、价格便宜等优点。随着微波通信的快速发展，微波通信系统迫切需要高性能的微波介质器件。目前移动通信的频率范围在800～5500MHz，相应的微波介质器件趋于成熟，但当频率向高端发展时，如华为在2021年4月提出的5-5.5G无线通信，面向2025共同启动5.5G创新和标准化；又如卫星通信的频率位于K波段(12～40GHz)，已开发的微波介质材料的εr较大(εr≥20)、Q·f值较小，无法制造出低损耗、合适尺寸的微波介质器件，因此有必要开发低介电常数、低频率温度系数、高Q·f值的微波介质材料。镁橄榄石(Mg2SiO4)具有低的介电常本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可提高抗还原能力的微波陶瓷介质材料，其特征在于：所述微波陶瓷介质材料的主晶相结构为(1-x) Mg

【技术特征摘要】
1.一种可提高抗还原能力的微波陶瓷介质材料，其特征在于：所述微波陶瓷介质材料的主晶相结构为(1-x)Mg2SiO4-x(Ca0.55Sr0.45)ZrO3，其中0.4≤x≤0.7；其Qf值为66000～88000GHz，相对介电常数εr为8.6～13.6，谐振频率温度系数在±9ppm/℃以内。


2.根据权利要求1所述微波陶瓷介质材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1:Mg2SiO4主晶相粉料合成：
以粒径D50和纯度分别为2um、99%的氧化镁，1.5um、99.5%的二氧化硅，1.8um、99.5%的氧化锌为起始原料，按摩尔比Mg:Si=2:l进行氧化镁和二氧化硅的配料，按微波陶瓷介质材料总质量的1%添加ZnO；原料经球磨混合均匀后在1120～1200℃下保温3～4小时，随炉冷却得到含有ZnO的Mg2SiO4主晶相粉料；
步骤2:(1-x)Mg2SiO4-x(Ca0.55Sr0.45)ZrO3预烧料混合：
将步骤1所得的Mg2SiO4主晶相粉料，与粒径D50和纯度分别为1.5um、99.9%的氧化锆，1.5um、99.5%的碳酸钙，1.5um、99.5%碳酸锶混合，混合时控制配比:(1-x)Mg2SiO4-x(Ca0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴坚强，童宁，金强，
申请(专利权)人：安徽沃信通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34