Mg制造技术

本发明专利技术公开了Mg

【技术实现步骤摘要】
Mg2-xMxSiO4-CaTiO3复合微波介质陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及微波介质陶瓷
，具体涉及一种高品质因数Mg2-xMxSiO4-CaTiO3复合微波介质陶瓷及其制备方法，该微波介质陶瓷适用于滤波器、天线、电容器等微波元器件的制备，属于微波介质陶瓷领域。
技术介绍
伴随5G技术标准日渐形成，5G基站建设对元件小型化和元件低功耗的需要越专利技术显。由于微波陶瓷粉体比较金属腔体具有高Q值的材料特性，大幅减小了插损，具有高带外抑制、温度漂移特性好、温度适用范围宽泛、多种形式的封装结构和输出接口形式的特点，满足了基站滤波器小型化、低功耗的发展趋势，因此陶瓷介质滤波器逐步替代传统金属腔体滤波器。Mg2SiO4体系微波介质陶瓷具有高品质因数的特性，适合做陶瓷滤波器。然而Mg2SiO4体系的τf为负值，不利于实际应用中微波器件的稳定性。因此需要与具有正τf值的介质陶瓷材料按照一定的比例进行复合，以达到近零的温度系数，从而保证材料的温度稳定性，满足微波电路的实际需求。其中CaTiO3(εr≈170，Q×f≈3600GHz，τf≈800本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.Mg

【技术特征摘要】
1.Mg2-xMxSiO4-CaTiO3复合微波介质陶瓷制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O、ZnO、CuO、CoO、NiO、TiO2和CaCO3按化学配比进行称量，以去离子水和氧化锆球作为溶剂和球磨介质，放入聚氨酯球磨罐在行星式球磨机上球磨8-24h；
(2)将步骤(1)球磨后的原料放入干燥箱中于100℃烘干，然后粉碎过100目筛；
(3)将步骤(2)过筛后的粉料装入氧化铝坩埚中，放入烧结炉中，以每分钟10℃的升温速度加热到1300℃，在1300℃的温度保温2h，分别得到Mg2-xMxSiO4和CaTiO3；
(4)将Mg2-xMxSiO4和CaTiO3按配比质量分数比称量，以去离子水和氧化锆球作为溶剂和球磨介质，放入聚氨酯球磨罐在行星式球磨机上球磨4-8h；
(5)将步骤(4)球磨后的粉料放入干燥箱中于100℃烘干，然后粉碎过200目筛；
(6)将步骤(5)过筛后的粉料放入研钵中，加入粉料8wt％的浓度为5wt％的PVA溶液，进行研磨造粒，再用压片机压制成型；
(7)将步骤(6)压制成型的坯体放入烧结炉中，于1225℃-1275℃烧结，保温4h，制得微波介质陶瓷；
(8)将步骤(7)制得的微波介质陶瓷进行介电性能测试。


2.根据权利要求1所述的Mg2-xMxSiO...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春宏，刘显波，康晓丽，崔旭东，
申请(专利权)人：中物院成都科学技术发展中心，
类型：发明
国别省市：四川;51