一种烧结体、靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种烧结体及靶材，其组成包括该烧结体及靶材由ITO基材及分布在该ITO基材内的高熔点氧化物固溶体组成；本发明专利技术同时还提供了该烧结体及靶材的制备方法，包括烧制工序，该烧制工序是将含有氧化物固溶体或氧化物固溶体对应氢氧化物的ITO混合粉体进行共烧，共烧后制备得到烧结体，对烧结体进行塑性加工，形成ITO靶材。本发明专利技术所提供的烧结体、靶材以及通过本发明专利技术制备方法制备的烧结体及靶材能够有效抑制烧结体及靶材发生裂纹的现象。

【技术实现步骤摘要】
一种烧结体、靶材及其制备方法
本专利技术涉及材料、玻璃面板领域，具体地说，涉及一种烧结体、靶材及其制备方法。
技术介绍
由于ITO(Indium-Tin-Oxide：氧化铟锡)膜具有较高的穿透性与导电性，因此广泛应用于平板显示器的透明电极，通过对ITO溅射靶进行溅射而在平板显示器上形成ITO膜。在平板显示产品上，ITO靶材通常是由质量百分比10％左右的SnO2的ITO制作而成；但在触摸面板等的用途中，在薄膜基板等各种基板上对ITO膜进行成膜时可使用含有质量百分比3％左右的SnO2的ITO溅射靶，但是在SnO2含量较低的情况下，ITO溅射靶会存在以下问题。在SnO2的含量较少的ITO靶材中，例如SnO2的含量在质量百分比7％以下的ITO材料，因材质较脆而容易产生裂纹，尤其是SnO2的含量为质量百分比5％以下的ITO材料。为了将这种SnO2的含量较少的ITO材料用于旋转阴极溅射方式的靶材而将其设为圆筒形状时，更加容易产生裂纹。此外，SnO2的含量较少的ITO圆筒形溅射靶材与基材接合时也容易产生裂纹。现有技术中为了改善SnO2的含量较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高密度ITO烧结体，其特征在于，该烧结体由ITO基材及分布在该ITO基材内的高熔点氧化物固溶体组成，所述高熔点氧化物固溶体的熔点在2400℃以上。/n

【技术特征摘要】
1.一种高密度ITO烧结体，其特征在于，该烧结体由ITO基材及分布在该ITO基材内的高熔点氧化物固溶体组成，所述高熔点氧化物固溶体的熔点在2400℃以上。


2.根据权利要求1所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，所述高熔点氧化物固溶体分布于ITO母相晶粒边界处，或者同时弥散分布于ITO母相内及其母相晶粒边界处。


3.根据权利要求1所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，所述ITO烧结体中高熔点氧化物固溶体的质量百分比含量为0.5％～3％，其粒径为1～10μm。


4.根据权利要求3所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，所述ITO烧结体中高熔点氧化物固溶体的粒径为1～3μm。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，所述高熔点氧化物固溶体为ZrO2或HfO2与一种以上稀土类元素的氧化物固溶得到的氧化物固溶体。


6.根据权利要求5所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，所述稀土类元素的氧化物为Y2O3、Yb2O3、Er2O3和Sm2O3中的一种或两种以上的组合。


7.根据权利要求6所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，所述ZrO2与Y2O3固溶得到的氧化物固溶体中ZrO2的摩尔百分比含量为15-40mol％。


8.根据权利要求6所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，所述ZrO2与Er2O3固溶得到的氧化物固溶体中ZrO2的摩尔百分比含量为25-65mol％。


9.根据权利要求1-4任意一项所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，所述ITO基材由In2O3母相与存在于该In2O3母相晶粒边界处的In4Sn3O12相组成，且In2O3母相中固溶有部分SnO2。


10.根据权利要求9所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，Sn的含量以SnO2量换算为质量百分比2.5～10.0％，所述ITO烧结体的相对密度为97.0％以上；该ITO烧结体的截面中In4Sn3O12相的面积率为0.5％以上，所述In2O3母相的平均粒径为17μm以下。


11.根据权利要求10所述的高密度ITO烧结体，其特征在于，所述烧结体截面中氧化物固溶体和I...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹丙伟，肖俊峰，孙俊，周华明，李岩，石刚，
申请(专利权)人：通威太阳能合肥有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34