一种ITWO靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ITWO靶材，涉及靶材制备领域。本发明专利技术所述ITWO靶材包括氧化金属组合物，所述氧化金属组合物包括以下组分：氧化铟、氧化锡和氧化钨；氧化钨占氧化铟和氧化锡总质量的1‑5％；所述ITWO靶材的制备过程包括：将所述氧化金属组合物压坯成型后烧结。本发明专利技术将氧化钨掺杂到ITO浆料中，使薄膜的性能更佳，经过阶段烧结提高了靶材密度。

【技术实现步骤摘要】
一种ITWO靶材及其制备方法
本专利技术涉及靶材制备领域，尤其是一种ITWO靶材及其制备方法。
技术介绍
高性能薄膜材料应用于各种高端电子行业。非晶氧化物半导体(AmorphousOxideSemiconductors,AOS)被广泛认为是可以取代传统的非晶硅作为新一代显示技术的薄膜晶体管(ThinFilmTransistors,TFTS)的有源层材料。磁控溅射制备氧化物薄膜晶体管(TFT)有源层，具有良好的稳定性，可满足高分辨LCD、AMOLED、电子纸等高端显示的需求，并且相比于LTPS有源层有工艺简单、成本低、均匀性好等优势。
技术实现思路
基于此，本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种相对密度在95％以上，靶材纯度99.99％，平均晶粒尺寸10～15um，抗弯强度≥80MPa的ITWO靶材及其制备方法。为实现上述目的，本专利技术所采取的技术方案为：一种ITWO靶材，所述ITWO靶材包括氧化金属组合物，所述氧化金属组合物包括以下组分：氧化铟、氧化锡和氧化钨；氧化钨占氧化铟和氧化锡总质量的1-5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ITWO靶材，其特征在于，所述ITWO靶材包括氧化金属组合物，所述氧化金属组合物包括以下组分：氧化铟、氧化锡和氧化钨；氧化钨占氧化铟和氧化锡总质量的1-5％；所述ITWO靶材的制备过程包括：将所述氧化金属组合物压坯成型后烧结。/n

【技术特征摘要】
1.一种ITWO靶材，其特征在于，所述ITWO靶材包括氧化金属组合物，所述氧化金属组合物包括以下组分：氧化铟、氧化锡和氧化钨；氧化钨占氧化铟和氧化锡总质量的1-5％；所述ITWO靶材的制备过程包括：将所述氧化金属组合物压坯成型后烧结。


2.如权利要求1所述的ITWO靶材，其特征在于，所述氧化铟和氧化锡的质量比为：氧化铟：氧化锡＝9:1。


3.一种如权利要求1或2所述的ITWO靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将氧化铟和氧化锡按照质量比混合，加入去离子水，球磨，得到ITO浆料；将相应质量的氧化钨加入去离子水，球磨，得到氧化钨浆料；
(2)将氧化钨浆料加入ITO浆料中，并加入粘结剂和pH调节剂，搅拌均匀得到混合浆料，进行干燥，得到ITWO粉末；
(3)将ITWO粉末压坯成型后得到素坯，素坯依次经脱脂烧结、有氧烧结、无氧烧结后，得到所述ITWO靶材。


4.如权利要求3所述的ITWO靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，ITO浆料的D50<0.5μm，半峰宽<0.5。


5.如权利要求3所述的ITWO靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，粘结剂的质量为氧化钨和ITO混合浆料总质量的2-5％，粘结剂为聚烯醇类粘结剂；所述pH调节剂为氨水，调节后混合浆料的pH值为9-10。


6.如权利要求3所述的ITWO靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，干燥的方式为喷雾干燥；喷雾干燥的干燥温度为240-260℃，进料速度为600-1000mL...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文杰，钟小华，童培云，朱刘，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44