半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成初始图形层；对初始图形层的侧壁进行一次或多次原子层刻蚀处理，形成图形层，原子层刻蚀处理的步骤包括：在初始图形层的侧壁上形成有机物层；去除有机物层。通常初始图形层侧壁最表面的原子与内层原子的键能小于内层原子之间的键能，有机物层通常带有能与初始图形层侧壁反应的元素，使得初始图形层侧壁最表面的原子与内层原子的键能进一步的减小，在去除有机物层的过程中，能够剥离初始图形层侧壁最表面的原子，如此，经过多次原子层刻蚀处理后，初始图形层侧壁上的凸出区域被抹平，相应的，形成的图形层的侧壁粗糙度较小，能够提高半导体结构的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinchoff)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthresholdleakage)现象，即所谓的短沟道效应(short-channeleffects，SCE)更容易发生。因此，为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好的抑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底上形成初始图形层；/n对所述初始图形层的侧壁进行一次或多次原子层刻蚀处理，形成图形层，所述原子层刻蚀处理的步骤包括：在所述初始图形层的侧壁上形成有机物层；去除所述有机物层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成初始图形层；
对所述初始图形层的侧壁进行一次或多次原子层刻蚀处理，形成图形层，所述原子层刻蚀处理的步骤包括：在所述初始图形层的侧壁上形成有机物层；去除所述有机物层。


2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机物层的材料包括氯、溴和氟中一种或多种元素。


3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述初始图形层的侧壁上形成的有机物层的厚度为0.5纳米至5纳米。


4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向异性的物理刻蚀工艺去除所述有机物层。


5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向异性的物理刻蚀工艺包括等离子带束刻蚀工艺。


6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子带束刻蚀工艺去除所述有机物层，对所述有机物层进行等离子带束刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀离子入射方向与所述基底表面法线的夹角大于10°且小于45°，刻蚀离子包括He、Ar、Ne、Kr和Xe中的一种或多种，偏置电压为50V至1000V，腔室压强为5mTorr至1000mTorr。


7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，原子层刻蚀处理的步骤中，去除所述有机物层前，所述有机物层位于所述初始图形层侧壁上的时间为0.1秒至10秒。


8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始图形层的侧壁进行一次或多次原子层刻蚀处理，形成图形层的步骤中，所述图形层的侧壁粗糙度小于0.5纳米。


9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述初始图形层的侧壁上形成有机物层的步骤中，所述有机物层还形成在所述初始图形层的顶面，位于所述初始图形层顶面的所述有机物层的厚度为第一厚度，位于所述初始图形层侧壁的所述有机物层的厚度为第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。


10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一厚度比所述第二厚度大5纳米至50纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，刘盼盼，杨晨曦，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31