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一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成初始图形层；对初始图形层的侧壁进行一次或多次原子层刻蚀处理，形成图形层，原子层刻蚀处理的步骤包括：在初始图形层的侧壁上形成有机物层；去除有机物层。通常初始图形层侧壁最表面的原子与...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。