一种PWM信号输出状态监测电路制造技术

本实用新型专利技术涉及PWM电路技术领域，公开了一种PWM信号输出状态监测电路，包括二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、N沟道MOS管Q1、三极管Q2、发光二极管D2和5V电源，二极管D1正端连接PWM输入信号；二极管D1正极接PWM信号时，发光二极管D2熄灭，二极管D1正极接低电平时，发光二极管D2亮。二极管D1负端连接电阻R1；所述电阻R1的另一端分别连接电容C1和电阻R2，并且与N沟道MOS管Q1的栅极G连接，所述电容C1和电阻R2的另一端接电源地；N沟道MOS管Q1的漏极D通过电阻R3连接5V电源，并通过电阻R4分别连接电阻R5和三极管Q2的基极b，源极S直接与电源地连接；所述电阻R5的另一端直接接电源地；本实用新型专利技术结构简洁、稳定性和实用性强。实用性强。实用性强。

【技术实现步骤摘要】
一种PWM信号输出状态监测电路


[0001]本技术涉及PWM电路
，尤其涉及一种PWM信号输出状态监测电路。

技术介绍

[0002]PWM电路即脉冲宽度变调电路除了可以监控功率电路的输出状态之外，同时还提供功率元件控制信号，因此广泛应用在高功率转换效率的switching电源、马达Inverter、音响用D极增幅器、DC
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DC Converter、UPS等各种高功率电路。
[0003]目前传统的PWM信号转换电路通常采用一阶RC滤波或二阶RC滤波，当使用滤波后的电平信号驱动三极管，由于RC滤波器输出纹波较大，三极管随PWM信号导通和关断，不能达到PWM信号转换为高电平控制三极管导通状态，无PWM信号保持低电平信号控制三极管关断效果。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术的目的是提供一种PWM信号输出状态监测电路，本技术通过利用电容的放电时间和N沟道MOS管电压驱动性，使转换后的电平可靠驱动三极管，防止三极管随PWM信号导通和关断。本技术结构简洁、稳定性和实用性强。
[0005]本技术通过以下技术手段解决上述技术问题：
[0006]本技术的一种PWM信号输出状态监测电路包括二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、N沟道MOS管Q1、三极管Q2、发光二极管D2和5V电源，所述二极管D1正端连接PWM输入信号；二极管D1负端连接电阻R1；所述电阻R1的另一端分别连接电容C1和电阻R2，并且与N沟道MOS管Q1的栅极G连接，所述电容C1和电阻R2的另一端接电源地；所述N沟道MOS管Q1的漏极D通过电阻R3连接5V电源，并通过电阻R4分别连接电阻R5和三极管Q2的基极b，源极S直接与电源地连接；所述电阻R5的另一端直接接电源地；所述三极管Q2集电极C通过电阻R6连接发光二极管D2的阴极引脚，发射极E直接接电源地；发光二极管D2阳极通过电阻R6接5V电源。
[0007]进一步，所述二极管D1正极接PWM信号时，发光二极管D2熄灭，二极管D1正极接低电平时，发光二极管D2亮。
[0008]进一步，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6均为贴片电阻。
[0009]进一步，所述二极管D1为肖特基二极管。
[0010]进一步，所述发光二极管D2为贴片式发光二极管。
[0011]本技术的工作原理：利用延长电容放电时间，降低转换信号后的纹波大小。当输入PWM信号输入时，PWM信号通过电阻R1和电容C1构成的低通滤波器将PWM信号转换成高电平信号，利用二极管的单向导电性和N沟道MOS管阻止电容C2放电，电容C2并联大阻值电阻延长放电时间，从而延长N沟道MOS管Q1的导通时间。输入有PWM波信号时N沟道MOS管导通，三极管Q2基极B为低电平，三极管Q2截止，发光二极管D2熄灭。输入为低电平信号时，N沟道MOS管截止，三极管Q2基极为高电平，三极管Q2导通，发光二极管D2亮。
[0012]本技术的有益效果：通过利用电容的放电时间和N沟道MOS管电压驱动性，使转换后的电平可靠驱动三极管，防止三极管随PWM信号导通和关断。本技术结构简洁、稳定性和实用性强。
附图说明
[0013]图1是本技术一种PWM信号输出状态的监测电路图；
具体实施方式
[0014]以下将结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明：
[0015]如图1所示，本技术的一种PWM信号输出状态监测电路包括二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、N沟道MOS管Q1、三极管Q2、发光二极管D2和5V电源，所述二极管D1正端连接PWM输入信号；所述二极管D1正极接PWM信号时，发光二极管D2熄灭，二极管D1正极接低电平时，发光二极管D2亮。二极管D1负端连接电阻R1；所述电阻R1的另一端分别连接电容C1和电阻R2，并且与N沟道MOS管Q1的栅极G连接，所述电容C1和电阻R2的另一端接电源地；所述N沟道MOS管Q1的漏极D通过电阻R3连接5V电源，并通过电阻R4分别连接电阻R5和三极管Q2的基极b，源极S直接与电源地连接；所述电阻R5的另一端直接接电源地；所述三极管Q2集电极C通过电阻R6连接发光二极管D2的阴极引脚，发射极E直接接电源地；发光二极管D2阳极通过电阻R6接5V电源。
[0016]本实施例中，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6均为贴片电阻。
[0017]本实施例中，所述二极管D1为肖特基二极管。所述发光二极管D2为贴片式发光二极管。
[0018]以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本技术的权利要求范围当中。本技术未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PWM信号输出状态监测电路，其特征在于：包括二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、N沟道MOS管Q1、三极管Q2、发光二极管D2和5V电源，所述二极管D1正端连接PWM输入信号；二极管D1负端连接电阻R1；所述电阻R1的另一端分别连接电容C1和电阻R2，并且与N沟道MOS管Q1的栅极G连接，所述电容C1和电阻R2的另一端接电源地；所述N沟道MOS管Q1的漏极D通过电阻R3连接5V电源，并通过电阻R4分别连接电阻R5和三极管Q2的基极b，源极S直接与电源地连接；所述电阻R5的另一端直接接电源地；所述三极管Q2集电极C通过电阻R6连接发光二极管D2的阴极...

【专利技术属性】
技术研发人员：董春禄，
申请(专利权)人：北京立迈胜控制技术有限责任公司，
类型：新型
国别省市：