一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法，其中晶圆再布线双重验证结构，包括：裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口。若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部。介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上。本发明专利技术的晶圆再布线双重结构能够实现在同一晶圆、一套制程上对不同形式的再布线模块进行功能验证。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法
本专利技术涉及芯片封装
，特别是晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法。
技术介绍
芯片作为现代电子产品的核心部件，它的设计生产过程不仅极其复杂，而且周期漫长，更兼成本昂贵；因此IC设计经常会在同一颗芯片上规划出不同的功能模块，然后通过再布线改变表面布线或者封装方式，实现产品的多元化应用，最大程度的降低成本，获取利润。通常在项目的工程品阶段，多元化的应用需要对芯片进行多种再布线，这也就需要对芯片进行多重验证。现有技术中对上述芯片进行多重验证法一般在不同个框架、不同个器件中完成，同时多套方案意味着多张晶圆、多套制程、多重导通、多种定制，这不仅造成了人力、资源和设计成本的增加浪费，而且还会影响验证数据的对比。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种晶圆再布线双重验证结构，以解决现有技术中的不足，它能够实现在同一晶圆、一套制程上对不同形式的再布线模块进行功能验证。本专利技术实施例公开的晶圆再布线双重验证结构，包括：裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，包括：/n裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口；/n若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部；/n介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；/n电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，包括：
裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口；
若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部；
介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；
电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上。


2.根据权利要求1所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块设置在所述再布线模块上表面上靠近所述间隙部的一侧，且所述倾斜面的一端延伸至所述间隙部。


3.根据权利要求2所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块上的倾斜面与水平面之间的夹角不小于45°。


4.根据权利要求1所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块为设置在再布线模块之上的光敏聚合物有机材料，具体材质包括但不限于聚苯并恶唑、聚酰亚胺、聚苯环丁烯。


5.根据权利要求4所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块由光敏聚合物有机材料经加温固化收缩而成。


6.一种如权利要求1至5任一项所述的晶圆再布线双重验证结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一裸芯片；
对所述裸芯片进行再布线后在所述裸芯片之上形成若干再布线模块，其中每一再布线模块均与相应的焊盘连接，且相邻两再布线模块之间形成间隙部；
在所述再布线模块和所述间隙部之上覆盖介电层，并去除预设位置之外的部分介电层；将预设位置剩余的介电层形成位于所述再布线模块之上的介电模块；
在介电模块上形成朝间隙部倾斜的倾斜面；
在倾斜面上形成电镀层。


7.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文杰，
申请(专利权)人：颀中科技苏州有限公司，合肥颀中封测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32