一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法，其中晶圆再布线双重验证结构，包括：裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口。若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部。介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上。本发明专利技术的晶圆再布线双重结构能够实现在同一晶圆、一套制程上对不同形式的再布线模块进行功能验证。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法
本专利技术涉及芯片封装
，特别是晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法。
技术介绍
芯片作为现代电子产品的核心部件，它的设计生产过程不仅极其复杂，而且周期漫长，更兼成本昂贵；因此IC设计经常会在同一颗芯片上规划出不同的功能模块，然后通过再布线改变表面布线或者封装方式，实现产品的多元化应用，最大程度的降低成本，获取利润。通常在项目的工程品阶段，多元化的应用需要对芯片进行多种再布线，这也就需要对芯片进行多重验证。现有技术中对上述芯片进行多重验证法一般在不同个框架、不同个器件中完成，同时多套方案意味着多张晶圆、多套制程、多重导通、多种定制，这不仅造成了人力、资源和设计成本的增加浪费，而且还会影响验证数据的对比。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种晶圆再布线双重验证结构，以解决现有技术中的不足，它能够实现在同一晶圆、一套制程上对不同形式的再布线模块进行功能验证。本专利技术实施例公开的晶圆再布线双重验证结构，包括：裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口；若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部；介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上。进一步的，所述介电模块设置在所述再布线模块上表面上靠近所述间隙部的一侧，且所述倾斜面的一端延伸至所述间隙部。进一步的，所述介电模块上的倾斜面与水平面之间的夹角不小于45°。进一步的，所述介电模块为设置在再布线模块之上的光敏聚合物有机材料，具体材质包括但不限于聚苯并恶唑、聚酰亚胺、聚苯环丁烯。进一步的，所述介电模块由光敏聚合物有机材料经加温固化收缩而成。一种所述的晶圆再布线双重验证结构的制造方法，包括如下步骤：提供一裸芯片；对所述裸芯片进行再布线后在所述裸芯片之上形成若干再布线模块，其中每一再布线模块均与相应的焊盘连接，且相邻两再布线模块之间形成间隙部；在所述再布线模块和所述间隙部之上覆盖介电层，并去除预设位置之外的部分介电层；将预设位置剩余的介电层形成位于所述再布线模块之上的介电模块；在介电模块上形成朝间隙部倾斜的倾斜面；在倾斜面上形成电镀层。进一步的，“在倾斜面上形成电镀层”具体包括如下步骤：在介电模块的上表面、部分再布线模块的上表面及间隙部的上表面覆盖上金属化层；在上金属化层之上覆盖上光阻层；去除部分上光阻层以形成上窗格，其中部分倾斜面自所述上窗格向外暴露；在所述上窗格内形成电镀层；去除剩余上光阻层及电镀层覆盖范围之外的上金属化层。进一步的，“对所述裸芯片进行再布线后在所述裸芯片之上形成若干再布线模块”包括如下步骤：在所述裸芯片之上形成下金属化层，并在下金属化层之上形成下光阻层；去除部分下光阻层以形成若干下窗格，其中每一下窗格内均有相应的焊盘自该下窗格向外暴露；在所述下窗格内电镀金属层以形成再布线模块；去除剩余下光阻层及再布线模块覆盖区域之外的下金属化层。进一步的，“在所述再布线模块和所述间隙部之上覆盖介电层，并去除预设位置之外的部分介电层；将预设位置剩余的介电层形成位于所述再布线模块之上的介电模块”包括如下步骤：通过涂布方式在所述再布线模块和所述间隙部之上形成介电层；通过曝光显影的方式去除预设位置之外的介电层；通过高温固化的方式使预设位置的介电层固化收缩以形成介电模块，所述倾斜面在固化收缩过程中生成。一种所述的晶圆再布线双重验证结构的验证方法，包括如下步骤：对每一再布线模块进行单独的功能验证；将电镀层熔融，熔融后的电镀层沿着倾斜面流入间隙部，使相邻两再布线模块连接以形成新线路结构；对连接成一体的再布线模块上的新线路结构进行功能验证。与现有技术相比，本专利技术实施例公开的晶圆再布线双重验证结构在再布线模块之上形成介电层，并在介电层上形成向相邻两再布线模块之间的间隙部倾斜的倾斜面，在倾斜面上设置电镀层，通过控制电镀层熔融，并使熔融后的电镀层沿着倾斜面流动到间隙部内最终冷却形成连接相邻两再布线模块的导通层，能够实现在同一晶圆、一套制程上对不同形式的再布线模块进行功能验证。相比于现有技术的多重验证法中需要在不同个框架、不同的器件中完成验证的方式，节省了人力、资源和设计成本。附图说明图1为本专利技术实施例公开的晶圆再布线双重验证结构的示意图；图2至图15依次示出本专利技术实施例公开的晶圆再布线双重验证结构的成型方法的流程图；图16为本专利技术实施例公开的晶圆再布线双重验证结构中电镀层50熔融后的结构示意图；附图标记说明：10-裸芯片，101-基板，102-焊盘，103-钝化层，104-钝化层开口，20-再布线模块，200-间隙部，30-下金属化层，40-介电模块，400-介电层，401-倾斜面，50-电镀层，500-金属导通层，60-上金属化层，70-下光阻层，700-下窗格，80-上光阻层，800-上窗格。具体实施方式下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。本专利技术的实施例：如图1所示，公开了一种晶圆再布线双重验证结构，包括：裸芯片10、设置在所述裸芯片10之上的若干再布线模块20、设置在所述再布线模块20之上的介电模块40和电镀层50。位于相邻两再布线模块20之间的间隙部200，介电模块40上设置有向间隙部200方向倾斜的倾斜面401，电镀层50设置在倾斜面401上。在初始状态下电镀层50呈凝固状态位于倾斜面401上，此时相邻两再布线模块20被间隙部200分隔，对每一再布线模块20进行单独的功能验证。对每一单独的再布线模块20进行功能验证完成后将电镀层50熔融，并使熔融后的电镀层50沿着倾斜面401向间隙部200移动并最终冷却凝固在间隙部200内以形成连通相邻两再布线模块20的金属导通层500，金属导通层500使相邻的两个再布线模块20连接后形成一个新的电路结构，可以实现在同一框架及器件上实现对不同的电路结构设计的芯片的功能验证。具体的，裸芯片10具有基板101、设置在所述基板101上的若干焊盘102和钝化层103，钝化层103上设置有若干与焊盘102相对设置并向外暴露相应所述焊盘102的钝化层开口104。基板101为晶圆本体，焊盘102为设置在晶圆本体102之上的金属层，该金属层材质包括但不限于铝、铜等金属及合金。钝化层103作为裸芯片10表面的保护层，材质包括但不限于氮化硅、氧化硅等无机薄膜材料或者聚酰亚胺等介电性能好的光敏性有机聚合物材料。钝化层103覆盖在基板101之上，钝化层104作为向外暴露焊盘102的开口其尺寸一般不超过焊盘102的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，包括：/n裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口；/n若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部；/n介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；/n电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，包括：
裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口；
若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部；
介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；
电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上。


2.根据权利要求1所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块设置在所述再布线模块上表面上靠近所述间隙部的一侧，且所述倾斜面的一端延伸至所述间隙部。


3.根据权利要求2所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块上的倾斜面与水平面之间的夹角不小于45°。


4.根据权利要求1所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块为设置在再布线模块之上的光敏聚合物有机材料，具体材质包括但不限于聚苯并恶唑、聚酰亚胺、聚苯环丁烯。


5.根据权利要求4所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块由光敏聚合物有机材料经加温固化收缩而成。


6.一种如权利要求1至5任一项所述的晶圆再布线双重验证结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一裸芯片；
对所述裸芯片进行再布线后在所述裸芯片之上形成若干再布线模块，其中每一再布线模块均与相应的焊盘连接，且相邻两再布线模块之间形成间隙部；
在所述再布线模块和所述间隙部之上覆盖介电层，并去除预设位置之外的部分介电层；将预设位置剩余的介电层形成位于所述再布线模块之上的介电模块；
在介电模块上形成朝间隙部倾斜的倾斜面；
在倾斜面上形成电镀层。


7.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文杰，
申请(专利权)人：颀中科技苏州有限公司，合肥颀中封测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32