一种Fuse阻抗检测电路和芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种Fuse阻抗检测电路，包括第一、第二、第三、第四、第五MOS管，第一、第二电阻，其中，第一、第二MOS管的源极相连，并与电源Vcc连接，第一、第二MOS管栅极相连，第一MOS管漏极连接其栅极、第四MOS管漏极，第三MOS管的漏极及其栅极和电源Vcc连接，第三MOS管源极连接第一电阻的一端，第一电阻另一端接地，第三MOS管栅极与第四MOS管栅极连接，第四MOS管源极连接第二电阻一端，第二电阻另一端接地；第四MOS管栅极还连接第五MOS管栅极，第五MOS管漏极连接第二MOS管漏极，在第五MOS管漏极和第二MOS管漏极之间，输出电压，第五MOS管源极连接Fuse的一端，Fuse另一端接地。本实用新型专利技术同时还保护一种芯片，能降低芯片的误判率。

【技术实现步骤摘要】
一种Fuse阻抗检测电路和芯片
本技术属于芯片设计电路领域，更具体地说，涉及一种Fuse阻抗检测电路和芯片。
技术介绍
在芯片的设计过程中需要通过修正(trim)对电路的精度进行校正，trim方法分为eprom(可擦编程只读存储器、ErasableProgrammableReadOnlyMemory)、Fuse(熔线)两类，本技术针对的是Fuse类应用。由于Fuse在未烧断时电阻近似为短路，阻抗非常小，但其烧断后阻抗最大可到100G欧，但由于ATE(AutomaticTestEquipment，自动测试机)机台的寄生等原因，在芯片的批量生产中存在个别Fuse烧断后的阻抗在几十k欧到几M欧之间，传统的Fuse烧断结果检测电路如图1所示，当固定的电流流过Fuse产生特定的电压值，当Fuse未烧断时，该电压值低于特定的电压值；当Fuse烧断后阻抗足够大时，该电压值应高于特定的电压值。便于后续电路通过电压值判断Fuse是否有烧断。当固定的电流和Fuse烧断后的阻抗有较大偏差时，会导致后续电路不能正确判断Fuse是否有烧断。由于该固定的电流和Fu本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Fuse阻抗检测电路，其特征在于：包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管，第一电阻和第二电阻，其中，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极相连，并与电源连接，第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连，第一MOS管的漏极与其栅极连接，第一MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极，第三MOS管的漏极连接电源，第三MOS管的漏极与其栅极相连，第三MOS管的源极连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端接地，第三MOS管的栅极与第四MOS管的栅极连接，第四MOS管的源极连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端接地；第四MOS管的栅极还连接第五MOS管的栅极，第五MOS管的...

【技术特征摘要】
1.一种Fuse阻抗检测电路，其特征在于：包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管，第一电阻和第二电阻，其中，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极相连，并与电源连接，第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连，第一MOS管的漏极与其栅极连接，第一MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极，第三MOS管的漏极连接电源，第三MOS管的漏极与其栅极相连，第三MOS管的源极连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端接地，第三MOS管的栅极与第四MOS管的栅极连接，第四MOS管的源极连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端接地；第四MOS管的栅极还连接第五MOS管的栅极，第五MOS管的漏极连接第二MOS管的漏极，在第五MOS管的漏极和第二MOS管的漏极之间输出电压，第五...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍博，
申请(专利权)人：南京天之立科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32