气压缸保护结构及化学机械研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种气压缸保护结构及化学机械研磨装置。所述气压缸保护结构包括：第一基座；第一套筒，采用化学惰性材料制成，固定于所述第一基座上，所述第一套筒用于容纳气压缸，所述气压缸能够沿所述第一套筒的轴线方向升降运动；第一密封圈，套设于所述第一套筒外表面；第二套筒，采用化学惰性材料制成，套设于所述第一套筒外部且贴附于所述第一密封圈的外表面，所述第二套筒与所述第一套筒同轴设置，且所述第二套筒能够沿其轴线方向升降运动。本发明专利技术一方面能够保护位于气压缸保护结构内部的气压缸，另一方面也有助于延长气压缸保护结构的使用寿命。有助于延长气压缸保护结构的使用寿命。有助于延长气压缸保护结构的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
气压缸保护结构及化学机械研磨装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种气压缸保护结构及化学机械研磨装置。

技术介绍

[0002]化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是半导体制造过程中的一种重要工艺步骤。化学机械研磨是一个通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用的工艺。研磨过程中研磨头施加一定的压力在晶圆背面，使得晶圆正面紧贴研磨垫。研磨垫自身进行旋转，同时，且研磨头带动晶圆与所述研磨垫同方向旋转，使得晶圆正面与研磨垫表面产生机械摩擦。在研磨过程中，通过一系列复杂的机械和化学作用去除晶圆表面的一定厚度的膜层，从而达到晶圆平坦化的目的。
[0003]在化学机械研磨装置中，为了防止研磨过程中研磨液的飞溅，通常会在研磨垫的外周设置压板防护罩(Platen Shield)。所述压板防护罩通过与其连接的气压缸实现在竖直方向上的升降运动。为了防止气压缸在化学机械研磨过程中被化学药品或者水腐蚀，通常会在气压缸的外部设置气压缸保护结构。但是，当前的气压缸保护结构一般采用橡胶材料制成，随着气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气压缸保护结构，其特征在于，包括：第一基座；第一套筒，采用化学惰性材料制成，固定于所述第一基座上，所述第一套筒用于容纳气压缸，所述气压缸能够沿所述第一套筒的轴线方向升降运动；第一密封圈，套设于所述第一套筒外表面；第二套筒，采用化学惰性材料制成，套设于所述第一套筒外部且贴附于所述第一密封圈的外表面，所述第二套筒与所述第一套筒同轴设置，且所述第二套筒能够沿其轴线方向升降运动。2.根据权利要求1所述的气压缸保护结构，其特征在于，还包括：驱动器，连接所述气压缸和所述第二套筒，用于驱动所述第二套筒随所述气压缸同步升降。3.根据权利要求1所述的气压缸保护结构，其特征在于，所述第一套筒包括相对分布的第一端部和第二端部；所述第一端部与所述第一基座固定连接；所述第一密封圈套设于所述第一套筒的所述第二端部处。4.根据权利要求1所述的气压缸保护结构，其特征在于，所述第一套筒的第二端部的外径小于所述第一端部的外径，所述第一密封圈的外径与所述第一端部的外径相等；所述第一密封圈与所述第二端部过盈配合连接。5.根据权利要求3所述的气压缸保护结构，其特征在于，所述第一基座中具有用于容纳所述第一套筒的第一开口；所述气压缸保护结构还包括：第二密封圈，设置于所述第一开口的内壁与所述第一套筒之间。6.根据权利要求5所述的气压缸保护结构，其特征在于，所述第一基座中具有环绕所述第一开口外周分布的多个第一连接孔，所述第一连接孔用于安装第一基座。7.根据权利要求3所述的气压缸保护结构，其特征在于，还包括：第二基座，所述第二基座与所述第二套筒远离所述第一基座的端部连接，用于支撑所述第二套筒。8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李超，古进忠，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：