【技术实现步骤摘要】
一种待失效分析样品的制备方法及待失效分析样品
[0001]本专利技术涉及半导体器件的测试分析领域,具体是涉及一种待失效分析样品的制备方法及待失效分析样品。
技术介绍
[0002]目前,半导体器件正朝着微型化和便携化的方向快速发展。高堆叠封装技术因其可以极大的减小器件的封装尺寸而得到越来越多的关注。
[0003]然而,高堆叠封装由于芯片密度高,在失效分析时难以定位到失效的具体位置,为芯片的失效分析带来了新的挑战。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本专利技术实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种待失效分析样品的制备方法及待失效分析样品。
[0005]为了达到上述目的,本专利技术的技术方案是这样实现的:
[0006]本专利技术实施例提供了一种待失效分析样品的制备方法,所述方法包括:
[0007]提供封装结构,所述封装结构包括芯片堆叠结构以及覆盖所述芯片堆叠结构的密封剂;所述芯片堆叠结构包括基板,堆叠设置在所述基板上方的多个芯片,及用于使所述多个芯片之间,和/或所述多个 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种待失效分析样品的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供封装结构,所述封装结构包括芯片堆叠结构以及覆盖所述芯片堆叠结构的密封剂;所述芯片堆叠结构包括基板,堆叠设置在所述基板上方的多个芯片,及用于使所述多个芯片之间,和/或所述多个芯片与所述基板之间实现电连接的多条导电线;所述多个芯片在所述基板上方依次堆叠形成第一台阶结构,所述多条导电线位于所述第一台阶结构的上方;对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤,以切断所述多条导电线,得到所述待失效分析样品。2.根据权利要求1所述的待失效分析样品的制备方法,其特征在于,所述多次研磨步骤在所述密封剂上形成第二台阶结构,所述第二台阶结构位于所述第一台阶结构的上方。3.根据权利要求1所述的待失效分析样品的制备方法,其特征在于,所述多个芯片包括在所述基板上依次堆叠的第1芯片、
……
、及第n芯片;其中,n为大于或等于2的正整数;所述对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤,包括:对所述第一台阶结构上方的密封剂执行第1次研磨,所述第1次研磨用于切断所述第n芯片与其下方芯片之间,和/或所述第n芯片与所述基板之间连接的导电线;其中,所述第1次研磨在所述密封剂上形成裸露的第1表面,所述第1表面位于所述第n芯片的上方。4.根据权利要求3所述的待失效分析样品的制备方法,其特征在于,采用砂纸执行所述第1次研磨。5.根据权利要求3所述的待失效分析样品的...
【专利技术属性】
技术研发人员:庞涛,韩龙,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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