一种测试结构和测试方法技术

本申请实施例公开了一种测试结构和测试方法，所述测试结构包括：源测量单元和测试单元；其中，所述源测量单元包括电压产生单元和电流检测单元；所述电压产生单元用于向所述测试单元施加测试电压，所述电流检测单元用于测量所述测试单元的击穿电流；测量到所述击穿电流时，停止施加测试电压；未测量到所述击穿电流时，继续施加测试电压，以引起多次电介质软击穿；其中，所述测试电压小于电介质硬击穿电压。压。压。

【技术实现步骤摘要】
一种测试结构和测试方法


[0001]本申请实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种测试结构和测试方法。

技术介绍

[0002]在集成电路制造当中，可靠性评估是工艺开发的重要部分。时间相关电介质击穿(Time Dependent Dielectric Breakdown，TDDB)测试是一种重要的用于评估电介质材料(例如，半导体晶体管的栅极氧化物)的可靠性的方法。然而，TDDB测试要耗费长时间进行逐一测试。一般而言，为了确保测试结果具有某种统计学意义，TDDB测试条件要求最小的样本规模，例如，至少15个测试样本。对于一些存在较大变化的工艺而言，可能要扩大所需样本规模，以确保测试结果的置信度。然而，提高样本规模将显著增大测试周期。
[0003]因此，希望提供有效地缩短测试时间的TDDB测试结构及其方法。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种测试结构和测试方法。
[0005]为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：源测量单元和测试单元；其中，所述源测量单元包括电压产生单元和电流检测单元；所述电压产生单元用于向所述测试单元施加测试电压，所述电流检测单元用于测量所述测试单元的击穿电流；测量到所述击穿电流时，停止施加测试电压；未测量到所述击穿电流时，继续施加测试电压，以引起多次电介质软击穿；其中，所述测试电压小于电介质硬击穿电压。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试单元包括：电阻器和示波器单元；其中，所述示波器单元与所述电阻并联连接，所述示波器单元用于测量由所述击穿电流引起所述电阻上的电压。3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述示波器单元以第一频率测量所述电阻的电压；所述电流检测单元以第二频率测量所述测试单元的击穿电流；所述第一频率大于所述第二频率。4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述电阻的阻值小于电介质测试样本未电介质软击穿时的阻值。5.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述电阻的阻值范围为50Ω
‑
100Ω。6.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试单元的数量为多个，多个所述测试单元之间并联连接。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛玮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：