【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法
[0001]本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置及其操作方法，更具体地，涉及一种能够执行编程操作的存储器装置以及该存储器装置的操作方法。
技术介绍
[0002]存储器装置可包括存储数据的多个存储器单元。存储器单元可被实现为当供电中断时所存储的数据消失的易失性存储器单元，或者被实现为即使供电中断时也保留所存储的数据的非易失性存储器单元。
[0003]最近，随着越来越多地使用便携式电子装置，越来越多地使用利用非易失性存储器单元配置的存储器装置。由于电子装置的小型化，需要电子装置中使用的存储器装置的高集成度和大容量。
[0004]存储器装置按二维结构实现，其中存储器单元相对于基板在水平方向上布置。然而，存储器装置最近已按三维结构实现，其中存储器单元从基板在垂直方向上层叠，以实现高集成度和大容量。
[0005]另外，随着存储在一个存储器单元中的比特数逐渐增加，存储器单元可具有的编程状态的数量也逐渐增加。编程状态的数量可与阈值电压分布的区段的数量成比例。
技术实现思路
[0006]实施方式提供了一种能够使存储器单元的阈值电压分布的宽度变窄的存储器装置以及该存储器装置的操作方法。
[0007]根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元，其连接在位线与源极线之间；电压发生器，其被配置为生成要被施加到与所选存储器单元连接的所选字线的编程电压和验证电压；页缓冲器，其被配置为存储在使用验证电压的验证操作中分别感测的数据，并依次使用所述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元，所述存储器单元连接在位线与源极线之间；电压发生器，该电压发生器被配置为生成要被施加到与所选存储器单元连接的所选字线的编程电压和验证电压；页缓冲器，该页缓冲器被配置为存储在使用所述验证电压的验证操作中分别感测的数据，并且依次使用所述数据将编程允许电压、编程禁止电压或编程控制电压传送到所述位线；以及逻辑电路，该逻辑电路被配置为生成用于控制所述页缓冲器的页缓冲器控制信号。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述页缓冲器包括：多个输入锁存器，所述多个输入锁存器被配置为存储在所述验证操作中分别感测的所述数据；输出锁存器，该输出锁存器被配置为依次接收从所述输入锁存器发送的数据；预充电电路，该预充电电路被配置为根据存储在所述输出锁存器中的数据来将所述位线预充电至正电压；以及放电电路，该放电电路被配置为根据存储在所述输出锁存器中的数据来对所述位线进行放电。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，在编程操作中，所述多个输入锁存器将所存储的数据依次发送到所述输出锁存器。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个输入锁存器：向所述输出锁存器发送通过所述验证电压当中的较高的验证电压感测的数据；并且随后在先前数据被发送之后经过特定时间之后，向所述输出锁存器发送通过所述验证电压当中的较低的验证电压感测的数据。5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述预充电电路连接在节点与电源电压端子之间，并且其中，所述放电电路连接在所述节点与接地端子之间。6.根据权利要求5所述的存储器装置，该存储器装置还包括连接在所述节点与所述位线之间并根据页感测信号来被控制的开关。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述开关的导通电平根据所述页感测信号的电平而变化。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当所述页感测信号的电平为高电压时，所述编程允许电压或所述编程禁止电压被施加到所述位线，其中，当所述页感测信号的电平是具有低于所述高电压的正电压的感测电压时，所述编程允许电压或所述编程控制电压被施加到所述位线。9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，在所述多个输入锁存器依次向所述输出锁存器发送数据时，所述电压发生器向所述所选字线输出具有恒定电平的所述编程电压，其中，在输出具有所述恒定电平的所述编程电压时，所述逻辑电路根据所述数据被发送的时间来将所述页感测信号的电平逐步减小。10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当所述多个输入锁存器依次向所述输出锁存器发送数据时，所述电压发生器向所述所选字线输出具有按照阶段增加的电平的所述
编程电压，其中，在输出具有按照阶段增加的电平的所述编程电压时，所述逻辑电路将所述页感测信号恒定地维持在所述感测电压的电平处。11.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，在所述多个输入锁存器依次向所述输出锁存器发送数据时，所述电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡洙悦，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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