【技术实现步骤摘要】
一种高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂
本专利技术属于助焊剂
,尤其涉及一种高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂。
技术介绍
高压硅堆是一种硅高频高压整流二极管,工作电压在几千伏至几万伏之间。它之所以能有如此高的耐压本领,是因为它的内部是由若干个硅高频二极管芯片串联起来组合而成的。通常地,各个硅高频二极管芯片之间形成堆叠式结构,相邻两个硅高频二极管芯片之间通过焊片并借助助焊剂焊接在一起。然而,现有的助焊剂焊接后会存在挂锡和焊接偏位的问题。助焊剂通常是以松香为主要成分的混合物。传统的松香型助焊剂主要成分为松香和溶剂,还含有卤素成分,焊接过程会产生烟气、焊接后残留物多、腐蚀性强,如果残留物未得到有效清除,将会对产品的绝缘性能带来影响,导致产品的质量稳定性差,必须清洗才能保证电子产品的工作寿命和电器性能。然而清洗技术和工艺步骤较多,使得操作不便,且许多清洗剂含有对环境造成危害的成分,不利于环保。除此之外,由于现有的部分硅高频二极管芯片是采用玻璃钝化工艺制作的,焊接时容易出现挂锡以及焊接偏位的现象,容易造成高压硅堆在使用过程 ...
【技术保护点】
1.一种高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂,其特征在于,包括以下质量百分比的组成:松香树脂70~86%、异丙醇9~15%、丙酮2~5%、抗氧化剂2~5%、缓蚀剂0.1~1%、表面活性剂0.1~2%、润湿增强剂0.1~2%;/n其中,所述表面活性剂包括烷基葡萄糖酰胺、辛基酚聚氧乙烯醚和磷酸酯;所述润湿增强剂包括二甘醇甲醚、丙二醇苯醚和混合酯DEB。/n
【技术特征摘要】
1.一种高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂,其特征在于,包括以下质量百分比的组成:松香树脂70~86%、异丙醇9~15%、丙酮2~5%、抗氧化剂2~5%、缓蚀剂0.1~1%、表面活性剂0.1~2%、润湿增强剂0.1~2%;
其中,所述表面活性剂包括烷基葡萄糖酰胺、辛基酚聚氧乙烯醚和磷酸酯;所述润湿增强剂包括二甘醇甲醚、丙二醇苯醚和混合酯DEB。
2.根据权利要求1所述的高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂,其特征在于,所述抗氧剂包括苯并三氮唑和2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚。
3.根据权利要求1所述的高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂,其特征在于,所述缓蚀剂包括质量比为(3~4):2:1的双咪唑啉季铵盐、氨基三亚甲基膦酸和膦酰基羧酸。
4.根据权利要求1所述的高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂,其特征在于,所述表面活性剂包括质量比为1:3:(1~2)的烷基葡萄糖酰胺、辛基酚聚氧乙烯醚和磷酸酯。
5.根据权利要求1所述的高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂,其特征在于,所述润湿增强剂包括质量比为1:1:(1.5~2.5)的二甘醇甲醚、丙二醇苯醚和混合酯DE...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐谦,洪继泓,
申请(专利权)人:广东成利泰科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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