【技术实现步骤摘要】
一种磷污染物的去除方法及装置
本专利技术涉及半导体工艺
,更具体地说,涉及一种磷污染物的去除方法及装置。
技术介绍
随着科学技术的不断发展,各种各样的半导体器件已广泛应用于人们的生活和工作中,为人们的日常生活带来了极大的便利。在具有磷掺杂多晶硅的氧化过程中,由于磷元素在高温下会从多晶硅中逸散出来,进而附着在氧化机台的各个组件上,对后续工艺造成影响。那么,如何去除氧化机台上附着的磷污染物,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此,为解决上述问题,本专利技术提供一种磷污染物的去除方法及装置,技术方案如下:一种磷污染物的去除方法,所述方法包括:向反应腔室中通入预设气体,与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应,使固态的所述磷污染物变为气态;对所述反应腔室内的气体进行气体抽离。优选的,在上述方法中,所述预设气体为氢气和氧气的混合气体;所述向反应腔室中通入预设气体,与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应,使固态的所述磷污染物
【技术保护点】
1.一种磷污染物的去除方法,其特征在于,所述方法包括:/n向反应腔室中通入预设气体,与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应,使固态的所述磷污染物变为气态;/n对所述反应腔室内的气体进行气体抽离。/n
【技术特征摘要】
1.一种磷污染物的去除方法,其特征在于,所述方法包括:
向反应腔室中通入预设气体,与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应,使固态的所述磷污染物变为气态;
对所述反应腔室内的气体进行气体抽离。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设气体为氢气和氧气的混合气体;
所述向反应腔室中通入预设气体,与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应,使固态的所述磷污染物变为气态,包括:
向所述反应腔室中通入所述氢气和氧气的混合气体;
对所述混合气体进行等离子体处理,以生成氧离子气体;所述氧离子气体用于与所述磷污染物在预设条件下进行化学反应,以使固态的所述磷污染物变为气态。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述预设条件至少包括腔室内的温度;
所述腔室内的温度为600℃-1100℃。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述预设条件至少包括腔室内的压力;
所述腔室内的压力为1Torr-8Toor。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氧离子气体的气体流量为2slm-8slm。
6.根据权利要求1至5任一项所述的方法,其特征在于,在向反应腔室中通入预设气体,与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应,使固态的所述磷污染物变为气态这一步骤之前,所述方法还包括:
提供一磷掺杂的待加工基片;
将所述待加工基片固定在所述氧化机台上;<...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈保家,吴保润,刘小辉,张超,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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