一种等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种等离子体处理装置，包括移动环以及与移动环固定连接的调节环，调节环可以跟随移动环升降，不会阻挡传片通道，调节环可以改变等离子体的反应速率，改善基片边缘的刻蚀均匀性，防止污染物颗粒回流产生刻蚀不良，还包括与移动环连接的间隔环，可以调整调节环与间隔环的高度比例，来改变基片边缘等离子体的刻蚀方向，对于不同条件的刻蚀有针对性的更换调节环来达到工艺要求，对于调整刻蚀参数提供了方便。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置
本技术涉及等离子体刻蚀
，尤其涉及一种等离子体处理设备中的等离子体调节环。
技术介绍
对半导体基片或衬底的微加工是一种众所周知的技术，可以用来制造例如，半导体、平板显示器、发光二极管(LED)、太阳能电池等。微加工制造的一个重要步骤为等离子体处理工艺步骤，该工艺步骤在一反应室内部进行，工艺气体被输入至该反应室内。射频源被电感和/或电容耦合至反应室内部来激励工艺气体，以形成和保持等离子体。基片被放置在基座上，由上方等离子体的鞘层对基片表面进行轰击。现有技术中，受腔室内部结构设计所限，在基片边缘的刻蚀参数和基片中心区域的刻蚀参数存在差异，如刻蚀速率，刻蚀方向和刻蚀选择比等。根据不同的工艺，除了需要增加基片刻蚀的均匀性以外，还需要对刻蚀速率等参数进行控制。因此，需要提供一种等离子体设备，能在改善基片边缘的刻蚀参数基础上，还可以调控相关参数，满足刻蚀需求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提供一种等离子体处理装置，包括：反应腔，其内设置有基座，用于承载待处理基片；聚焦环，其环本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：/n反应腔，其内设置有基座，用于承载待处理基片；/n聚焦环，其环绕所述基座设置；/n气体喷淋头，位于反应腔内与所述基座相对的上方，所述气体喷淋头与所述基座之间形成一反应空间；/n等离子体约束环，围绕所述基座设置，用于将等离子体约束在所述反应空间内，同时保证反应副产物气体排出反应腔；/n移动环，其环绕所述反应空间设置，所述移动环至少在高位和低位两个位置间移动；/n调节环，其与所述移动环的内侧固定连接，且位于所述聚焦环上方，用于调节等离子体。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
反应腔，其内设置有基座，用于承载待处理基片；
聚焦环，其环绕所述基座设置；
气体喷淋头，位于反应腔内与所述基座相对的上方，所述气体喷淋头与所述基座之间形成一反应空间；
等离子体约束环，围绕所述基座设置，用于将等离子体约束在所述反应空间内，同时保证反应副产物气体排出反应腔；
移动环，其环绕所述反应空间设置，所述移动环至少在高位和低位两个位置间移动；
调节环，其与所述移动环的内侧固定连接，且位于所述聚焦环上方，用于调节等离子体。


2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述调节环材质为导体或半导体。


3.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于，所述调节环材质为Si或SiC。


4.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述移动环的内侧至少部分位于所述聚焦环上方，所述移动环的外侧位于所述等离子体约束环上方，所述调节环与移动环的内侧固定连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员：杨金全，苏兴才，徐朝阳，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31