利用AMAT PVD腔体制备吸气剂的方法及其薄膜吸气剂技术

本发明专利技术涉及吸气剂制备技术领域，具体涉及一种利用AMAT PVD腔体制备吸气剂的方法及其薄膜吸气剂，包括如下步骤：步骤1、配备清洗硅片的腐蚀溶液，其中腐蚀溶液主要由NAOH和异丙醇溶液制成，备用；步骤2、将硅片按顺序依次放入丙酮、酒精和超纯水中，依次进行超声清洗，备用；步骤3、将步骤2清洗完成后的硅片放入步骤1已经配制好的腐蚀溶液中浸泡，在85‑95°C的温度下加热50min；步骤4、将步骤3浸泡完毕后的硅片用超纯水进行超声清洗，完成后用甩干机进行甩干；步骤5、将步骤4清洗甩干后的硅片放入PVD设备中进行工艺处理，且PVD设备工艺腔内安装好的合金靶材成分为ZR‑CO‑RE；实现了用AMAT PVD设备生产薄膜吸气剂的可行性；由此可以解决量产薄膜吸气剂的需求。

【技术实现步骤摘要】
利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法及其薄膜吸气剂
本专利技术涉及吸气剂制备
，具体涉及一种利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法及其薄膜吸气剂。
技术介绍
吸气剂是指能有效地吸着某些（种）气体分子的制剂或装置的通称，用来获得或维持真空以及纯化气体等。随着科学科技发展，许多科研和生产领域需要的真空环境越来越高。吸气剂则应运而生，吸气剂主要分为三种：一种为蒸散型吸气剂，第二种是非蒸散型吸气剂，第三种为复合型吸气剂（即装有蒸散型和非蒸散型吸气剂）。蒸散型吸气剂工作时需要将吸气材料蒸发出来，遇冷后凝结在金属载体上（一般为金属管或金属碟制成）。而非蒸散型吸气剂则只需要加热激活后便可吸附大量杂气了。在此前提下尺寸小吸气性能优越以及激活温度低的薄膜吸气剂是业内研究的热点，采用磁控溅射在真空器件内壁沉积薄膜吸气剂得到了快速发展。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法及其薄膜吸气剂，实现了用AMATPVD设备生产薄膜吸气剂的可行性；AMATPVD是台高效稳定设备，由此可以解决量产薄膜吸气剂的需求。本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法，包括如下步骤：步骤1、配备清洗硅片的腐蚀溶液，其中腐蚀溶液主要由NAOH和异丙醇溶液制成，备用；步骤2、将硅片按顺序依次放入丙酮、酒精和超纯水中，依次进行超声清洗，备用；步骤3、将步骤2清洗完成后的硅片放入步骤1已经配制好的腐蚀溶液中浸泡，在85-95°C的温度下加热50min；步骤4、将步骤3浸泡完毕后的硅片用超纯水进行超声清洗，完成后用甩干机进行甩干；步骤5、将步骤4清洗甩干后的硅片放入PVD设备中进行工艺处理，且PVD设备工艺腔内安装好的合金靶材成分为ZR-CO-RE。优选的，所述步骤1中NAOH和异丙醇溶液的含量分别为3wt.%和5wt.%。优选的，所述步骤3中硅片浸泡加热的温度为90°C。优选的，所述的步骤5中硅片在PVD设备中进行工艺处理时，DCPOWERSUPPLY连接在TARGET上，给其一个负电压，在TARGER和HEATER之间形成PLASMA（AR+）。优选的，所述AR+在电场作用下撞击TARGET，其中AR+在磁场的作用下以螺旋型撞击TARGET，使金属原子与TARGET分离以此实现成膜，完成薄膜吸气剂的制备。本专利技术还包含了以下技术方案予以实现：一种薄膜吸气剂，包含上述所述的利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法制备得到。本专利技术的有益效果为：实现了用AMATPVD设备生产薄膜吸气剂的可行性；AMATPVD是台高效稳定设备，由此可以解决量产薄膜吸气剂的需求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术中PVD腔体的工作原理示意图；图2为本专利技术中AR+在电场作用下撞击TARGET的工作原理示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1：一种利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法，包括如下步骤：步骤1、配备清洗硅片的腐蚀溶液，其中腐蚀溶液主要由NAOH和异丙醇溶液制成，备用；步骤2、将硅片按顺序依次放入丙酮、酒精和超纯水中，依次进行超声清洗，备用；步骤3、将步骤2清洗完成后的硅片放入步骤1已经配制好的腐蚀溶液中浸泡，在85-95°C的温度下加热50min；步骤4、将步骤3浸泡完毕后的硅片用超纯水进行超声清洗，完成后用甩干机进行甩干；步骤5、将步骤4清洗甩干后的硅片放入PVD设备中进行工艺处理，且PVD设备工艺腔内安装好的合金靶材成分为ZR-CO-RE。具体的，所述步骤1中NAOH和异丙醇溶液的含量分别为3wt.%和5wt.%。具体的，所述步骤3中硅片浸泡加热的温度为90°C。具体的，请参阅图1所示，所述的步骤5中硅片在PVD设备中进行工艺处理时，DCPOWERSUPPLY连接在TARGET上，给其一个负电压，在TARGER和HEATER之间形成PLASMA（AR+）。具体的，请参阅图2所示，所述AR+在电场作用下撞击TARGET，其中AR+在磁场的作用下以螺旋型撞击TARGET，使金属原子与TARGET分离以此实现成膜，完成薄膜吸气剂的制备。本专利技术还包含了以下技术方案予以实现：一种薄膜吸气剂，包含上述所述的利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法制备得到。实现了用AMATPVD设备生产薄膜吸气剂的可行性；AMATPVD是台高效稳定设备，由此可以解决量产薄膜吸气剂的需求。以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本专利技术各实施例技术方案的精神和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用AMAT PVD腔体制备吸气剂的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1、配备清洗硅片的腐蚀溶液，其中腐蚀溶液主要由NAOH和异丙醇溶液制成，备用；/n步骤2、将硅片按顺序依次放入丙酮、酒精和超纯水中，依次进行超声清洗，备用；/n步骤3、将步骤2清洗完成后的硅片放入步骤1已经配制好的腐蚀溶液中浸泡，在85-95°C的温度下加热50min；/n步骤4、将步骤3浸泡完毕后的硅片用超纯水进行超声清洗，完成后用甩干机进行甩干；/n步骤5、将步骤4清洗甩干后的硅片放入PVD设备中进行工艺处理，且PVD设备工艺腔内安装好的合金靶材成分为ZR-CO-RE。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、配备清洗硅片的腐蚀溶液，其中腐蚀溶液主要由NAOH和异丙醇溶液制成，备用；
步骤2、将硅片按顺序依次放入丙酮、酒精和超纯水中，依次进行超声清洗，备用；
步骤3、将步骤2清洗完成后的硅片放入步骤1已经配制好的腐蚀溶液中浸泡，在85-95°C的温度下加热50min；
步骤4、将步骤3浸泡完毕后的硅片用超纯水进行超声清洗，完成后用甩干机进行甩干；
步骤5、将步骤4清洗甩干后的硅片放入PVD设备中进行工艺处理，且PVD设备工艺腔内安装好的合金靶材成分为ZR-CO-RE。


2.根据权利要求1所述的一种利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法，其特征在于，所述步骤1中NAOH和异丙醇溶液的含量分别为3wt.%和5wt.%。


3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王世宽，
申请(专利权)人：上海松尚国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31