【技术实现步骤摘要】
利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法及其薄膜吸气剂
本专利技术涉及吸气剂制备
,具体涉及一种利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法及其薄膜吸气剂。
技术介绍
吸气剂是指能有效地吸着某些(种)气体分子的制剂或装置的通称,用来获得或维持真空以及纯化气体等。随着科学科技发展,许多科研和生产领域需要的真空环境越来越高。吸气剂则应运而生,吸气剂主要分为三种:一种为蒸散型吸气剂,第二种是非蒸散型吸气剂,第三种为复合型吸气剂(即装有蒸散型和非蒸散型吸气剂)。蒸散型吸气剂工作时需要将吸气材料蒸发出来,遇冷后凝结在金属载体上(一般为金属管或金属碟制成)。而非蒸散型吸气剂则只需要加热激活后便可吸附大量杂气了。在此前提下尺寸小吸气性能优越以及激活温度低的薄膜吸气剂是业内研究的热点,采用磁控溅射在真空器件内壁沉积薄膜吸气剂得到了快速发展。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供了利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法及其薄膜吸气剂,实现了用AMATPVD设备生产薄膜吸气剂的可行性;AMATPVD ...
【技术保护点】
1.一种利用AMAT PVD腔体制备吸气剂的方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤1、配备清洗硅片的腐蚀溶液,其中腐蚀溶液主要由NAOH和异丙醇溶液制成,备用;/n步骤2、将硅片按顺序依次放入丙酮、酒精和超纯水中,依次进行超声清洗,备用;/n步骤3、将步骤2清洗完成后的硅片放入步骤1已经配制好的腐蚀溶液中浸泡,在85-95°C的温度下加热50min;/n步骤4、将步骤3浸泡完毕后的硅片用超纯水进行超声清洗,完成后用甩干机进行甩干;/n步骤5、将步骤4清洗甩干后的硅片放入PVD设备中进行工艺处理,且PVD设备工艺腔内安装好的合金靶材成分为ZR-CO-RE。/n
【技术特征摘要】
1.一种利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、配备清洗硅片的腐蚀溶液,其中腐蚀溶液主要由NAOH和异丙醇溶液制成,备用;
步骤2、将硅片按顺序依次放入丙酮、酒精和超纯水中,依次进行超声清洗,备用;
步骤3、将步骤2清洗完成后的硅片放入步骤1已经配制好的腐蚀溶液中浸泡,在85-95°C的温度下加热50min;
步骤4、将步骤3浸泡完毕后的硅片用超纯水进行超声清洗,完成后用甩干机进行甩干;
步骤5、将步骤4清洗甩干后的硅片放入PVD设备中进行工艺处理,且PVD设备工艺腔内安装好的合金靶材成分为ZR-CO-RE。
2.根据权利要求1所述的一种利用AMATPVD腔体制备吸气剂的方法,其特征在于,所述步骤1中NAOH和异丙醇溶液的含量分别为3wt.%和5wt.%。
3.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:王世宽,
申请(专利权)人:上海松尚国际贸易有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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