一种防漏硅晶体生长炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种防漏硅晶体生长炉，包括：热场，热场内设有石英坩埚，石英坩埚内用于设置硅液；防漏硅接漏桶装置，设置于石英坩埚的下方，包括：防漏盘和接料桶，其中，防漏盘，包括溢流槽和溢流孔，溢流孔成对设置且对称设于溢流槽内，防漏盘设于石英坩埚的下方且石英坩埚侧壁的投影落入在溢流槽内；接料桶，接料桶通过导流管与溢流孔连通。作为本方案的进一步改进，防漏盘的中心处设有轴孔，轴孔的周围均匀设置电极贯穿孔。本实用新型专利技术具有安全性高、方便使用的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种防漏硅晶体生长炉
本技术属于机械
，涉及一种防漏硅晶体生长炉。
技术介绍
单晶炉是多晶硅转化为单晶硅工艺过程中的必备设备，而单晶硅又是光伏发电和半导体行业中的基础原料。单晶硅作为现代信息社会的关键支撑材料，是目前世界上最重要的单晶材料之一，它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料，也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。现有技术中，在单晶硅拉制的过程中，在单晶炉投料越来越多时，炉内硅料重量也越来越大时，就容易发生漏硅的安全事，故如若高温硅液有泄漏，则高温的硅液会流入设备内，直接导致石英坩埚的破损、设备的损坏，更甚者会引起安全事故，提升拉晶的成本和风险。综上所述，为解决现有的仓库在自动化管理上的不足，本技术设计了一种安全性高、方便使用的防漏硅晶体生长炉。
技术实现思路
本技术为解决现有技术存在的问题，提供了一种安全性高、方便使用的防漏硅晶体生长炉。本技术的目的可通过以下技术方案来实现：一种防漏硅晶体生长炉，包括：热场，热场内设有石英坩埚，石英坩埚内用于设置硅液；防漏硅接漏桶装置，设置于石英坩埚的下方，包括：防漏盘和接料桶，其中，防漏盘，包括溢流槽和溢流孔，溢流孔成对设置且对称设于溢流槽内，防漏盘设于石英坩埚的下方且石英坩埚侧壁的投影落入在溢流槽内；接料桶，接料桶通过导流管与溢流孔连通。作为本方案的进一步改进，防漏盘的中心处设有轴孔，轴孔的周围均匀设置电极贯穿孔。作为本方案的进一步改进，导流管包括导管和输出管，输出管的上部与导管相连，输出管的下部与接料桶相连，且输出管的下部延伸至接料桶的内腔。作为本方案的进一步改进，输出管的外侧管为不锈钢管，输出管的内侧管为石墨管或陶瓷管。作为本方案的进一步改进，导流管的外部设有真空管道。作为本方案的进一步改进，接料桶的内壁上设有内衬。作为本方案的进一步改进，内衬为氧化铝固化毡。作为本方案的进一步改进，防漏盘为石墨材质。作为本方案的进一步改进，接料桶设置于机架内部。作为本方案的进一步改进，接料桶设置于机架的外部。与现有技术相比，本技术结构设计合理，通过石英坩埚下方的防漏盘承接高温硅液；由于防漏盘设于石英坩埚的下方且石英坩埚侧壁的投影落入在溢流槽内，高温硅液直接落入溢流槽内，再通过溢流孔留出，最终流过导流管，在接料桶内汇集，对比现有技术，有效避免了高温硅液流入设备内，损坏设备，设置于外部的接料桶对硅液进行收集，有效避免了安全事故的发生，实用性好。附图说明图1是本技术防漏盘的结构示意图。图2是本技术防漏盘的另一结构示意图。图3是本技术防漏硅晶体生长炉使用状态结构示意图。图4是本技术防漏硅晶体生长炉另一使用状态结构示意图。图中，10-防漏盘，11-溢流槽，12-溢流孔，13-轴孔，14-电极贯穿孔，20-接料桶，21-内衬，30-导流管，31-导管，32-输出管，33-真空管道，40-热场，41-石英坩埚。具体实施方式下面结合实施例及附图，对本技术的技术方案作进一步的阐述。如图所示，本防漏硅晶体生长炉，包括：热场40，热场40内设有石英坩埚41，石英坩埚41内用于设置硅液；晶体生长炉用防漏硅接漏桶装置，包括：防漏盘10，包括溢流槽11和溢流孔12，溢流孔12成对设置且对称设于溢流槽11内，防漏盘10设于石英坩埚的下方且石英坩埚侧壁的投影落入在溢流槽11内；接料桶20，接料桶20通过导流管30与溢流孔12连通。现有技术中，在单晶硅拉制的过程中，在单晶炉投料越来越多时，炉内硅料重量也越来越大时，就容易发生漏硅的安全事，故如若高温硅液有泄漏，则高温的硅液会流入设备内，直接导致石英坩埚的破损、设备的损坏，更甚者会引起安全事故，提升拉晶的成本和风险。为此，本技术设计了一种防漏硅晶体生长炉，通过在晶体生长炉的下方设置晶体生长炉用防漏硅接漏桶装置，特别是一种能够在工作过程中，承接高温从石英坩埚的侧壁泄漏出的高温硅液的晶体生长炉用防漏硅接漏桶装置，使得在工作的过程中，溢流的硅液顺排到溢流槽内，最终在接料桶20内，使得高温的硅液不会烫穿或少烫穿炉底后漏水，从而有效避免产生安全隐患。防漏硅晶体生长炉上设置的防漏硅接漏桶装置主要包括防漏盘10和接料桶20，在具体工作过程中，高温工作中，高温硅液从石英坩埚的侧壁泄漏出时，设置于石英坩埚下方的防漏盘10承接高温硅液；由于防漏盘10设于石英坩埚的下方且石英坩埚侧壁的投影落入在溢流槽11内，高温硅液直接落入溢流槽11内，再通过溢流孔12留出，最终流过导流管30，在接料桶20内汇集。再者，每个接料桶20容量约300KG～500KG，一个晶体生长炉至少配备两个接料桶20。上述过程，使得当硅液发生泄漏情况时，对比现有技术，有效避免了高温硅液流入设备内，损坏设备，设置于外部的接料桶20对硅液进行收集，有效避免了安全事故的发生。作为进一步的优选实施例，防漏盘10的中心处设有轴孔13，轴孔13的周围均匀设置电极贯穿孔14。在本实施例中，防漏盘10中心处设置的轴孔13用于坩埚下方的轴穿设；电极贯穿孔14用于坩埚下方的电极放置。轴孔13和电极贯穿孔14皆为了匹配晶体生长炉的整体结构。作为进一步的优选实施例，导流管30包括导管31和输出管32，输出管32的上部与导管31相连，输出管32的下部与接料桶20相连，且输出管32的下部延伸至接料桶20的内腔。作为进一步的优选实施例，输出管32的外侧管为不锈钢管，输出管32的内侧管为石墨管或陶瓷管。作为进一步的优选实施例，导流管30的外部设有真空管道33。在本实施例中，通过在导流管30的外部设有真空管道33，导流管30的外部设有套管，真空管道33设于套管内，使得保持整个空间为真空环境；再者，通过设置输出管32的下部直接延伸至接料桶20的内腔，使得高温硅液直接落入到接料桶20的底部，再在底部进行汇集。作为进一步的优选实施例，接料桶20的内壁上设有内衬21。作为进一步的优选实施例，内衬21为氧化铝固化毡。在本实施例中，由于滴入到接料桶20的为高温硅液，接料桶20的内壁上设有内衬21，且内衬21的材质为氧化铝固化毡，氧化铝固化毡能够耐高温，具体为日本三菱耐1800℃氧化铝固化毡。作为进一步的优选实施例，防漏盘10为石墨材质。作为进一步的优选实施例，接料桶20设置于机架内部。如图3所示，接料桶20在使用时，设置于机架的内部。作为进一步的优选实施例，接料桶20设置于机架的外部。如图4所示，接料桶20在使用时，设于机架的外部。图3和图4是接料桶20的两种设置方式，可以根据实际需求进行放置，不限定于上述两种设置方式。本防漏硅晶体生长炉结构设计合理，在单晶炉投料越来越多时，炉内硅料重量也越来越大时，就容易发生漏硅的安全事故，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防漏硅晶体生长炉，其特征在于，包括：/n热场(40)，热场(40)内设有石英坩埚(41)，石英坩埚(41)内用于设置硅液；/n防漏硅接漏桶装置，设置于石英坩埚(41)的下方，包括：防漏盘(10)和接料桶(20)，其中，防漏盘(10)，包括溢流槽(11)和溢流孔(12)，溢流孔(12)成对设置且对称设于溢流槽(11)内，防漏盘(10)设于石英坩埚的下方且石英坩埚侧壁的投影落入在溢流槽(11)内；接料桶(20)，接料桶(20)通过导流管(30)与溢流孔(12)连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种防漏硅晶体生长炉，其特征在于，包括：
热场(40)，热场(40)内设有石英坩埚(41)，石英坩埚(41)内用于设置硅液；
防漏硅接漏桶装置，设置于石英坩埚(41)的下方，包括：防漏盘(10)和接料桶(20)，其中，防漏盘(10)，包括溢流槽(11)和溢流孔(12)，溢流孔(12)成对设置且对称设于溢流槽(11)内，防漏盘(10)设于石英坩埚的下方且石英坩埚侧壁的投影落入在溢流槽(11)内；接料桶(20)，接料桶(20)通过导流管(30)与溢流孔(12)连通。


2.根据权利要求1所述的一种防漏硅晶体生长炉，其特征在于，防漏盘(10)的中心处设有轴孔(13)，轴孔(13)的周围均匀设置电极贯穿孔(14)。


3.根据权利要求1所述的一种防漏硅晶体生长炉，其特征在于，导流管(30)包括导管(31)和输出管(32)，输出管(32)的上部与导管(31)相连，输出管(32)的下部与接料桶(20)相连，且输出管(32)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金海，
申请(专利权)人：浙江晶阳机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33