【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种炉体保温装置，尤其是涉及一种晶体生长炉用液面保温装置及晶体生长炉。
技术介绍
1、单晶硅和多晶硅是半导体和光伏等行业的重要原料，在生产多/单晶硅的过程中，硅芯的使用量非常大，目前较为先进的硅芯制备是使用多圈直拉式晶体生长炉直接进行多根硅芯拉制，该晶体生长炉一般包括炉体、坩埚、热场系统、提升机构，其原理是通过热场系统加热坩埚内的原料，使其融化成液态，然后利用提升机构将籽晶送至液态硅表面进行引晶，使液态原料重新结晶形成所需硅芯，然后提升机构一边旋转一边缓慢提升，逐渐形成硅晶棒。在重新结晶的过程中，为了使高温液面迅速冷却到结晶温度，需要使用水冷屏结构对晶体生长的位置进行温度控制，从而提高晶体的生长速度。
2、目前行业内常见的水冷屏大多采用平面水冷屏的模式，即水冷屏的底部形成有冷却盘，冷却盘与坩埚之间形成有单晶生长室，冷却盘上侧形成有晶棒停留室，冷却盘的外围分布有不定数量的拉晶孔方便硅芯生长，中心大部分区域为上下贯通的投料口。晶体生长炉通过在坩埚外围和底部设置保温层来对整个坩埚内的硅液进行保温。在冷却拉晶过程中，水冷屏...
【技术保护点】
1.一种晶体生长炉用液面保温装置，所述晶体生长炉为多圈直拉式晶体生长炉，其特征在于：包括盖板、设于所述盖板上表面的吊装接头以及设于所述盖板下表面上的保温体，所述盖板上还开设有同时贯穿所述保温体的ccd观察口。
2.根据权利要求1所述的晶体生长炉用液面保温装置，其特征在于：所述盖板的边缘处设有相对所述保温体向外侧延伸的环状承托部。
3.根据权利要求1或2所述的晶体生长炉用液面保温装置，其特征在于：所述保温体为单层或多层复合结构，所述保温体为隔热材料构成。
4.一种晶体生长炉，包括炉体、设于所述炉体内的坩埚、设于所述坩埚周围的热场系统、...
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长炉用液面保温装置，所述晶体生长炉为多圈直拉式晶体生长炉，其特征在于：包括盖板、设于所述盖板上表面的吊装接头以及设于所述盖板下表面上的保温体，所述盖板上还开设有同时贯穿所述保温体的ccd观察口。
2.根据权利要求1所述的晶体生长炉用液面保温装置，其特征在于：所述盖板的边缘处设有相对所述保温体向外侧延伸的环状承托部。
3.根据权利要求1或2所述的晶体生长炉用液面保温装置，其特征在于：所述保温体为单层或多层复合结构，所述保温...
【专利技术属性】
技术研发人员：程旭兵，
申请(专利权)人：浙江晶阳机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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