一种平面光波导型放大器的芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种平面光波导型放大器的芯片，属于集成光学技术领域。包括两个完全相同的上芯片和下芯片，所述上芯片和下芯片之间相互对称胶结固定，所述上芯片和下芯片都从外至内依次包括外包层、内包层和芯层，所述芯层和内包层为同心的半圆柱形结构，芯层嵌设在内包层内芯中，所述外包层为长方体结构，所述外包层包覆在内包层表面。

【技术实现步骤摘要】
一种平面光波导型放大器的芯片
本技术涉及一种平面光波导型放大器的芯片，属于集成光学

技术介绍
目前，随着光纤网络和集成光学的快速发展，光学功能模块的集成需求日显突出。将光源、光有源模块和光无源模块的相互结合集成在越来越多的场景中得到应用。在光信号的传输和处理过程中，光的衰减无法避免，为了保证光信号的强度，光电系统中必须要考虑光放大的功能。因此，光放大的功能模块的集成也是未来集成光学发展的重要方向之一。传统的光放大器由光纤构成，该结构适合光纤系统，但不利于集成光学系统的集成，对此，平面波导型的光放大器的研制就显得尤为重要。平面波导型光放大器的主要问题在于器件尺寸较小，需要在较小范围内需要实现较大的光激励，以实现足够的增益。传统的方法将信号光与泵浦光耦合进同一支光波导进行泵浦，放大效果尚不理想。有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种平面光波导型放大器的芯片，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种平面光波导型放大器的芯片。本技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面光波导型放大器的芯片，包括两个完全相同的上芯片(1)和下芯片(2)，其特征在于：所述上芯片(1)和下芯片(2)都从外至内依次包括外包层(11)、内包层(12)和芯层(13)，所述芯层(13)和内包层(12)为同心的半圆柱形结构，芯层(13)嵌设在内包层(12)内芯中，所述外包层(11)为长方体结构，所述外包层(11)包覆在内包层(12)表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种平面光波导型放大器的芯片，包括两个完全相同的上芯片(1)和下芯片(2)，其特征在于：所述上芯片(1)和下芯片(2)都从外至内依次包括外包层(11)、内包层(12)和芯层(13)，所述芯层(13)和内包层(12)为同心的半圆柱形结构，芯层(13)嵌设在内包层(12)内芯中，所述外包层(11)为长方体结构，所述外包层(11)包覆在内包层(12)表面。


2.根据权利要求1所述的一种平面光波导型放大器的芯片，其特征在于：所述上芯片(1)和下芯片(2)之间相互对称胶结固定。


3.根据权利要求1所述的一种平面光波导型放大器的芯片，其特征在于：所述芯片的高度为1.7～2.6mm，宽为2.0～4.0mm。


4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑伟伟，程鹏，赵懋，林志明，王辉，
申请(专利权)人：常州光芯集成光学有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32