【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及用于产生其布局图的方法及系统[优先权主张]本申请主张2019年12月13日提出申请的美国临时申请第62/948,125号的优先权，所述美国临时申请的全文并入本案供参考。
本揭露涉及一种包括波导加热器的半导体装置以及用于产生其布局图的方法及系统。
技术介绍
半导体光子学(例如硅光子学)是基于操纵由半导体材料展现出的热光效应及/或电光效应。热光有效(thermo-opticeffective，TOE)的材料响应于温度的改变而改变折射率。电光有效(electro-opticeffective，EOE)的一些材料响应于电场的改变而改变例如折射率及/或介电常数。对于使用激光作为光源的光学通信，随着速度目标增加(例如，10千兆位/秒(GBit/s)及以上)，速度目标变得越来越难以仅通过直接调制激光来实现。在此类情况中，一种选择是使用在激光器外部的光学调制器。外部光学调制器的实例是马赫-曾德尔调制器(Mach-Zehndermodulator，MZM)。在MZM中，输入光学路径/波导被分成第一波导及第...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n晶体管层，包括：/n至少一个晶体管的组件；/n波导，具有在第一方向上延伸的长轴；以及/n第一内连层，在所述波导之上；/n由金属化层形成的堆叠，在所述晶体管层之上，所述堆叠包括一个或多个第二内连层，所述一个或多个第二内连层夹置在所述金属化层中对应的成对的相邻金属化层之间；以及/n加热器，在所述第一内连层中或者在所述一个或多个第二内连层之一中；且/n其中相对于与所述第一方向实质上垂直的第二方向而言，所述加热器与所述波导的至少一部分实质上交叠。/n
【技术特征摘要】
20191213 US 62/948,125;20200610 US 16/897,5811.一种半导体装置，包括：
晶体管层，包括：
至少一个晶体管的组件；
波导，具有在第一方向上延伸的长轴；以及
第一内连层，在所述波导之上；
由金属化层形成的堆叠，在所述晶体管层之上，所述堆叠包括一个或多个第二内连层，所述一个或多个第二内连层夹置在所述金属化层中对应的成对的相邻金属化层之间；以及
加热器，在所述第一内连层中或者在所述一个或多个第二内连层之一中；且
其中相对于与所述第一方向实质上垂直的第二方向而言，所述加热器与所述波导的至少一部分实质上交叠。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述波导是肋形波导。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：
相对于与所述第一方向及所述第二方向中的每一者实质上垂直的第三方向而言，所述肋形波导包括：
平板部分：以及
肋形部分，堆叠在所述平板部分上；
相对于所述第二方向而言，所述肋形部分具有第一宽度；
相对于所述第二方向而言，所述平板部分的端部部分不与所述肋形部分交叠，且具有第二宽度；且
所述第一宽度相对于所述第二宽度的比率0.185至0.25的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述由金属化层形成的堆叠进一步包括：
第一金属化层，在所述晶体管层之上；以及
第二金属化层，在所述第一金属化层之上；且
所述一个或多个第二内连层包括在所述第一金属化层与所述第二金属化层之间的一者；且
所述加热器在所述第一内连层或所述一个或多个第二内连层的所述一者中。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
相对于所述第一方向及所述第二方向而言，所述波导具有具第一形状的第一部分，且所述加热器具有与所述第一形状相似的第二形状；且
所述第二形状的大小被设定成与所述第一部分的至少约80％交叠。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：
所述波导的所述第一部分的所述第一形状是环形谐振器，且所述加热器的所述第二形状是环状形状；或者
所述波导的所述第一部分的所述第一形状是双环谐振器，且所述加热器的所述第二形状是数字8状形状；或者
所述波导的所述第一部分的所述第一形状是U形状，且所述加热器的所述第二形状是U形状。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
相对于所述第一方向及所述第二方向而言，所述波导具有多个第一U形部分及多个第二U形部分；且
每一所述U形部分包括弧形部分；
所述加热器是矩形的；且
所述加热器与所述波导的所述多个第一U形部分的所述弧形部分交叠。
8.一种制造半导体装置的方法，
对于布局图，所述布局图存储在非暂时性计算机可读媒体上且包括对应地代表所述半导体装置中的晶体管层、第一金属化层、第一内连层及第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭丰维，周淳朴，陈焕能，卓联洲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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