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一种半导体装置包括：晶体管层，包括至少一个晶体管的组件、具有在第一方向上延伸的长轴的波导以及在所述波导之上的第一内连层；由金属化层形成的堆叠，在所述晶体管层之上，所述堆叠包括一个或多个第二内连层，所述一个或多个第二内连层夹置在所述金属化层中...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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