半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。当图案化位于介电层下方的蚀刻停止层时，光刻胶层用以保护介电层以及嵌入在介电层中的导电元件。光刻胶层可以进一步用于蚀刻在蚀刻停止层下方的另一个介电层，其中蚀刻下一个介电层会暴露出接触件，例如栅极接触件。底层可以用于保护嵌入介电层中的导电元件不受用于蚀刻蚀刻停止层的湿式蚀刻剂的破坏。用于蚀刻蚀刻停止层的湿式蚀刻剂的破坏。用于蚀刻蚀刻停止层的湿式蚀刻剂的破坏。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体装置的形成方法，尤其涉及一种金属部件的形成方法。

技术介绍

[0002]半导体装置被用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数字相机以及其他电子设备。一般通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体层材料以制造半导体装置，并使用光刻对各种材料层进行图案化，以在其上形成电路组件及元件。
[0003]半导体产业通过持续减小最小部件尺寸以持续提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度，其允许将更多组件整合至给定区域中。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体装置的形成方法，以解决上述至少一个问题。
[0005]本专利技术一些实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：图案化光刻胶层，光刻胶层在介电层上方；基于光刻胶层的图案蚀刻介电层，以在介电层中形成开口，所述蚀刻停止于介电层下方的蚀刻停止层；当光刻胶层在介电层上时，蚀刻蚀刻停止层以穿透蚀刻停止层；以及在介电层中的开口中形成导电元件，导电元件电性耦合至蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：图案化一光刻胶层，该光刻胶层在一介电层上方；基于该光刻胶层的一图案蚀刻该介电层，以在该介电层中形成一开口，所述蚀刻停止于该介电层下方的一蚀刻停止层；当该光刻胶层在该介电层上时，蚀刻该蚀刻停止层以穿透该蚀刻停止层；以及在该介电层中的该开口中形成一导电元件，该导电元件电性耦合至该蚀刻停止层下方的一第一金属部件。2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该介电层包括形成在其中的一第二金属部件，其中在蚀刻该介电层的期间，该光刻胶层覆盖该第二金属部件的一上表面。3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该蚀刻停止层包括氧化铝。4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中：使用一干式蚀刻工艺蚀刻该介电层；以及使用一湿式蚀刻工艺蚀刻该蚀刻停止层。5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第一金属部件包括一晶体管的一栅极电极。6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该导电元件包括至一栅极电极的一导电插塞。7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：在蚀刻该蚀刻停止层之后，蚀刻一第二介电层以露出该第一金属部件。8.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其中使用一干式蚀刻工...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪于仕，杨鸿杰，李佳颖，叶柏男，邱钰婷，林群能，叶明熙，黄国彬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：