一种具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法技术

本发明专利技术公开了属于近红外光传感技术领域的一种具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法。该近红外光传感有机场效应晶体管的制备过程依照从下到上的顺序，即基底、栅电极、介电层、源漏电极和半导体层连接。本晶体管是底栅底接触构型，源漏电极和半导体层位于同一水平面，由共轭聚合物和有机小分子共混溶液制备的薄膜作为半导体层，具有垂直分相的异质结构，其两端分别与源漏电极连接；介电层由耐溶剂性好的非金属氧化物或者交联聚合物制作。修饰层为单分子层；本发明专利技术制备工艺简单，成本低，本近红外光传感有机场效应晶体管饺页对低能量(10

【技术实现步骤摘要】
一种具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法


[0001]本专利技术涉及近红外光传感
，特别涉及一种具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法。

技术介绍

[0002]具有光传感特性的有机场效应晶体管，能将光信号的变化转变为电信号的变化，并通过栅压的调控作用，实现对光电流的进一步放大，提高光检测的灵敏性。近红外光传感有机场效应晶体管由于制备工艺简单、成本低和柔韧性好，较易集成于可穿戴设备，并广泛应用于健康监控，疾病诊断、夜视、远程监控、环境监控和光学通讯等领域。
[0003]近红外有机场效应晶体管所涉及到的主要物理过程包括发生在半导体层中的光诱导激子的产生、电荷分离、电荷传输和收集。近红外有机场效应晶体管多采用底栅底接触构型和底栅顶接触构型，并选择在近红外光谱区域有较强吸收的材料作为半导体层。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法，所述场效应晶体管由基底、栅电极、介电层、源漏电极和半导体层组装而成，其特征在于，近红外光传感有机场效应晶体管的制备方法，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法，所述场效应晶体管由基底、栅电极、介电层、源漏电极和半导体层组装而成，其特征在于，近红外光传感有机场效应晶体管的制备方法，包括：步骤1、在基底上制备栅电极；步骤2、在栅电极上制备介电层；步骤3、在介电层上制备源漏电极；步骤4、在介电层上修饰单分子层；步骤5、制备半导体层。2.根据权利要求1所述的具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤1中，栅电极具有良好的导电性，采用金、银，或者打印电极，打印所采用的墨水选择银墨水或者PEDOT:PSS溶液；基底为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺(PI)；基底还能选择重掺杂的硅，重掺杂硅能同时作为栅电极。3.根据权利要求1所述的具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤2中，介电层具有良好的介电性能、绝缘性能以及耐溶解性；可以是在重掺杂硅表面氧化一定厚度的二氧化硅作为介电层，或者是交联的聚酰亚胺、交联的聚苯乙烯或交联的聚乙烯醇。4.根据权利要求1所述的具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤3中，源漏电极需要有良好的导电性，通过蒸镀、光刻或打印工艺制备源漏电极，采用的材料为金属或者导电聚合物材料；其中金属材料选用金、...

【专利技术属性】
技术研发人员：马兰超，俄乐哈尔，
申请(专利权)人：北京石油化工学院，
类型：发明
国别省市：