一种高结晶度半导体膜转移制造方法技术

本发明专利技术属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明专利技术方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。可靠制造。可靠制造。

【技术实现步骤摘要】
一种高结晶度半导体膜转移制造方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制造
，具体涉及高结晶度半导体膜的转移制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体材料中，载流子的迁移速度与材料的结晶程度直接相关，高的结晶度通常对应高的迁移率。为此在半导体薄膜膜制备过程中，通常会采用特殊的衬底材料，利用衬底表面的有序结构，对目标半导体材料进行诱导，提高目标薄膜的结晶度，并且实现取向性的晶体生长。这种基于衬底表面的结晶诱导技术的一个特点是：厚度方向上，离衬底表面越远的位置，诱导作用会越低，目标材料的结晶度也就逐渐降低。由于半导体器件的结构特性，载流子往往只在半导体材料的特定区域迁移，但是，前期的诱导界面并不一定能影响到这一区域。例如，对于场效应晶体管而言，载流子主要在半导体绝缘层界面附近10nm以内的沟道区迁移。为了提高晶体管的电学性能，晶体管中栅绝缘层往往采用高介电常数的材料，这一要求很难保证绝缘材料能够作为半导体层的良好诱导模板。因此，需要改进半导体薄膜的制备工艺，来克服各种模板诱导范围有限的这一缺点，使得晶体管工作时载流子迁移主要集中于高结晶度的半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高结晶度半导体膜转移制造方法，其特征在于，利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件。2.根据权利要求1所述的高结晶度半导体膜转移制造方法，其特征在于，对于半导体器件为底栅顶接触薄膜晶体管，具体步骤为：（1）在衬底（1）上制备诱导结晶模板，接着在诱导结晶模板上沉积半导体膜；（2）将热剥离胶带均匀覆盖在步骤（1）所制备的半导体膜上，并施以均匀压力P1，以保证热剥离胶带和半导体膜有效粘合；压力P1范围介于0.01MPa至10MPa之间；（3）将热剥离胶连带半导体薄膜一同从诱导结晶模板上剥离；（4）将粘附有半导体膜的热剥离胶带覆盖在目标衬底（2）上，并施以均匀压力P2，以保证热剥离胶带和衬底2有效粘合，压力P2范围介于0.01MPa至10MPa之间；随后将粘附有热剥离胶带的衬底2在温度T2下退火处理；（5）退火处理导致热剥离胶带失粘，从而可以将其从衬底2上剥离，而半导体层仍旧留在衬底2上，实现半导体膜的高效转移。3.根据权利要求2所述的高结晶度半导体膜转移制造方法，其特征在于，所述诱导结晶模板包括聚四氟乙烯模板、对目标半导体材料具有晶格匹配功能的其它模板、以及低表面能模板。4.根据权利要求2所述的高结晶度半导体膜转移制造方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱国栋，陈秋松，刘蔚林，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：