一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法。本发明专利技术采用酸溶液对全有机薄膜晶体管器件的PEDOT：PSS源漏电极进行酸处理，使电极的导电率(σ

【技术实现步骤摘要】
一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法


[0001]本专利技术属于有机薄膜晶体管领域，具体涉及一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法。

技术介绍

[0002]自2000年H.Sirringhaus首次制备了高分率的全有机薄膜晶体管器件以来，全有机的OTFT器件载流子迁移率只有0.001
‑
0.15cm2V
‑1s
‑1左右。载流子迁移率较低仍然是制约其应用的瓶颈。根据研究结果，低载流子迁移率主要是由于器件的接触电阻较大(15.0MΩ
·
cm)，比真空蒸镀金属电极的OTFT器件接触电阻大了2
‑
3个数量级，这么大接触电阻主要来源于PEDOT：PSS的体电阻。没有经过任何处理的PEDOT:PSS电导率比较低，只有1S/cm左右，低电导率导致OTFT器件测试时较低的IDS电流，从而通过公式计算的载流子迁移率也比较低。
[0003]文献中已有一些报道可以提高PEDOT:PSS的电导率，包括在PEDOT:PSS溶液中添加如阴离子表面活性剂、乙二醇、二甲基亚砜、离子液体等等，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，将PEDOT源漏电极进行酸处理，包括以下步骤：采用喷墨打印技术制备PEDOT源漏电极，将PEDOT源漏电极加热处理，冷却后在PEDOT源漏电极表面加酸并静置一段时间，洗涤，干燥后热退火处理；所述酸为硫酸、盐酸和硝酸中的至少一种。2.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述酸为质量浓度为50～98％的浓硫酸酸、浓盐酸和浓硝酸中的至少一种。3.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述静置的时间为5～15min。4.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述加热处理的温度为80～200℃，时间为5～15min。5.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述热退火处理的温度为80～200℃，时间为5～15min。6.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述全有机薄膜晶体管器件的结构由下往上依次为：衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：许伟，彭俊彪，宁洪龙，姚日晖，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：