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一种高结晶度半导体膜转移制造方法技术
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文档序号:28140999
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本发明属于半导体器件制造技术领域,具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带,将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上,实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合,并控制半导体膜分子链的取...
该专利属于复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过复旦大学授权不得商用。
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