类苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的空穴传输材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开类苯并噻吩并[3,2

【技术实现步骤摘要】
类苯并噻吩并[3,2
‑
b]苯并噻吩的空穴传输材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及有机半导体材料
，尤其涉及类苯并噻吩并[3,2
‑
b]苯并噻吩的空穴传输材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED)自1987年突破性进展以来，一直受到世界学术界和工业界的广泛关注。有机发光二极管具有成本低、易于制造、视角宽、工作温度广、色温可调、分辨率高、图像清晰、对比度好、功耗低、透明度高、重量轻、柔性等优点，使其成为目前最受欢迎的显示和照明技术。具有长寿命和高功率效率的有机发光二极管在照明和显示市场有着巨大的需求。有机发光二极管器件是一种多层薄膜结构，分别为空穴注入材料层、空穴传输材料层、电子阻挡材料层、发光材料层、空穴阻挡材料层、电子传输材料层、电子注入材料层，每一层都有其独特的应用前景。分子结构、热稳定性、形态、分子轨道能级以及每一层的电荷迁移率是获得高效率和长寿命有机发光二极管的首要考虑因素。
[0003]高效的空穴传输材料(HTM)应具备良好的空穴迁移率，形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一类基于苯并五元环并[3,2
‑
b]苯并五元环的空穴传输材料，其特征在于，其结构式如下所示：其中，X、Y独立地选自硫原子、氧原子、氮原子、硒原子和铋原子中的任意一种；P选自单键、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚萘啶基中的任意一种；R1选自氢原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基中的任意一种；R2,R3独立地选自联苯基、苯基、萘基、二苯并呋喃基、芴基、三联苯基中的任意一种。2.根据权利要求1所述的基于苯并五元环并[3,2
‑
b]苯并五元环的空穴传输材料，其特征在于，
‑
N
‑
(R
2,
R3)为以下基团中的任意一种，其中虚线为基团的连接位置：
3.一类基于苯并[b]苯并[4,5]五元环并[2,3
‑
f]苯并五元环的空穴传输材料，其特征在于，其结构式如下所示：其中，X,Y独立地选自硫原子、氧原子、氮原子、硒原子和铋原子中的任意一种；P选自单键、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚萘啶基中的任意一种；R1选自氢原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、取代或未取代的联苯基、取代或
未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟鸿，王江峰，贺耀武，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：