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本发明公开了属于近红外光传感技术领域的一种具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法。该近红外光传感有机场效应晶体管的制备过程依照从下到上的顺序，即基底、栅电极、介电层、源漏电极和半导体层连接。本晶体管是底栅底接触构型，源漏电极和半导体层位...
该专利属于北京石油化工学院所有，仅供学习研究参考，未经过北京石油化工学院授权不得商用。

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