多孔/无孔单分子层晶体的可控制备及应用制造技术

本发明专利技术公开了一种多孔/无孔单分子层晶体的可控制备及应用。所述制备方法包括如下步骤：以有机小分子为原料，通过对基底表面能的调控，利用滴注法即在所述基底得到多孔或无孔单分子层晶体；所述滴注法采用的溶剂为甲苯、邻二甲苯、氯苯或邻二氯苯；所采用的溶液的浓度为0.01～1mg/mL；采用等离子体清洗、OTS、BCB、Cytop或PMMA调控所述基底表面能。本发明专利技术采用“自下而上”的组装工艺直接可控的制备多孔和无孔单分子层晶体，不仅可以有效降低有机半导体层的厚度，将待测物扩散距离降至最低(单分子层厚度)，克服半导体层厚度对传感灵敏度的限制，而且还可以直接制备多孔单分子层晶体，为待测物提供了与载流子直接作用的通道，可极大的提高其传感灵敏度。可极大的提高其传感灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
多孔/无孔单分子层晶体的可控制备及应用


[0001]本专利技术涉及一种多孔/无孔单分子层晶体的可控制备及应用，属于材料制备领域。

技术介绍

[0002]在场效应晶体管中，导电沟道中的电荷密度和电荷输运，不仅仅受栅压的调控，而且也会受到外界刺激的影响，这为场效应晶体管在传感领域的应用提供了可能性。目前，传统的基于场效应晶体管的传感器都是以半导体薄膜或单晶为活性层，但是，这类传感器的灵敏度和响应速度会受到其刺激物在半导体层中扩散速度的严重限制。为了提高传感性能，减缓这种限制，大量的改进工作已经报道过，例如，降低半导体层厚度到几个分子层甚至单分子层，或者制备多孔结构的有机半导体层。而多孔半导体层无论是通过模板辅助法还是热退火法制备，均采用“自上而下”的方法制备，因此，采用“自下而上”的组装工艺直接制备多孔晶体仍然具有挑战性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种多孔或无孔单分子层晶体(MMCs)的可控制备方法，本专利技术采用“自下而上”的组装工艺直接可控的制备多孔和无孔单分子层晶体，不仅可以有效降低有机半导体层的厚度，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.多孔或无孔单分子层晶体的制备方法，包括如下步骤：以有机小分子为原料，通过对基底表面能的调控，利用滴注法即在所述基底得到多孔或无孔单分子层晶体。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述有机小分子为式Ⅰ所示化合物，3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述滴注法采用的溶剂为甲苯、邻二甲苯、氯苯或邻二氯苯；所采用的溶液的浓度为0.01～1mg/mL。4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于：采用等离子体清洗、OTS、BCB、Cytop或PMMA调控所述基底表面能。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述调控方式如下1)-5)中任一种：1)将待修饰基底置于氧等离子体清洗机中进行清洗；2)将待修饰基底置于OTS氛围的真空烘箱...

【专利技术属性】
技术研发人员：江浪，李海阳，石燕君，刘洁，刘江虹，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：