【技术实现步骤摘要】
晶圆自动处理方法及晶圆自动处理装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆自动处理方法及晶圆自动处理装置。
技术介绍
[0002]随着半导体制程精度的不断提升，半导体制造工厂对全自动化的生产要求也越来越高，尤其是对于制程精度高的工艺步骤，工程师希望可以实现全自动化的功能，以减少人为操作的误差。在半导体结构的制造过程中，因制造工序相对较多，因此，在完成一定的工序之后需要进行相应的检测，以判断晶圆处理质量、以及为晶圆处理工序改进提供参考。同时，为了提供机台产率、或者减少晶圆制造缺陷，经常需要对晶圆进行SWR(Special Work Request，特殊工作需求实验)。然而，目前晶圆处理机台中的缺陷检测工具(review tool)无法自动化的同时检测不同SWR条件的晶圆。当遇到不同SWR条件的晶圆需要检测时，只能离线进行操作，从而大大的降低了机台的效率，并提高了人员操作的风险。
[0003]因此，如何提高晶圆处理装置的自动化程度，实现对不同SWR条件的晶圆自动化缺陷检测，提高机台效率，是当前亟待
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种晶圆自动处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供若干片晶圆，所述晶圆运行于主路径上，所述主路径是在所述晶圆表面形成半导体结构的路径；判断所述晶圆是否需要进行缺陷检测，若是，则自动将所述晶圆的运行路径切换至副路径；在所述副路径中对所述晶圆进行缺陷检测；判断所述晶圆是否完成缺陷检测，若是，则自动将所述晶圆的运行路径切换至所述主路径。2.根据权利要求1所述的晶圆自动处理方法，其特征在于，所述主路径中包括多个处理步骤；判断所述晶圆是否需要进行缺陷检测的具体步骤包括：在所述晶圆完成当前处理步骤之后，判断所述晶圆是否需要进行缺陷检测。3.根据权利要求2所述的晶圆自动处理方法，其特征在于，在所述副路径中对所述晶圆进行缺陷检测的具体步骤包括：对所述晶圆进行缺陷扫描；获取缺陷扫描之后的晶圆缺陷图谱；分析所述晶圆缺陷图谱，获取所述晶圆缺陷的相关信息。4.根据权利要求3所述的晶圆自动处理方法，其特征在于，若干片晶圆为同一批次晶圆；对所述晶圆进行缺陷扫描之前，还包括如下步骤：根据晶圆在所述主路径上的特殊工艺处理条件将同一批次的所述晶圆分裂为若干个子批和一个母批，每一所述子批包括从经过相同特殊工艺处理条件的多片晶圆中抽取的若干片晶圆，所述母批由同一批次中除构成所有所述子批之外的晶圆组成。5.根据权利要求4所述的晶圆自动处理方法，其特征在于，在所述副路径中对所述晶圆进行缺陷检测的具体步骤包括：对每一所述子批中的所有晶圆进行缺陷扫描；获取每一所述子批的子批缺陷扫描图谱；分析每一所述子批缺陷图谱，获取每一所述子批的缺陷相关信息。6.根据权利要求5所述的晶圆自动处理方法，其特征在于，对每一所述子批中的所有晶圆进行缺陷扫描的具体步骤包括：设置与若干个所述子批的特殊工艺处理条件一一对应的若干个检测条件；根据每一所述子批各自对应的检测条件对每一所述子批中的所有晶圆进行缺陷扫描。7.根据权利要求5所述的晶圆自动处理方法，其特征在于，获取每一所述子批的晶圆缺陷扫描图谱的具体步骤包括：获取一个所述子批中与所有晶圆一一对应的多个晶圆缺陷扫描图谱；选择多个所述晶圆缺陷扫描图谱中缺陷数量最多的一个作为该所述子批缺陷扫描图谱。8.根据权利要求5所述的晶圆自动处理方法，其特征在于，所述母批中的晶圆不进行缺陷检测，在确认所述子批中的晶圆完成缺陷检测之后，还包括如下步骤：将所述母批中的晶圆和所述子批中的晶圆重新合并为一批次晶圆，并将重新合并后的一批次晶圆的运行路径切换至所述主路径，并执行与所述当前步骤相邻的下一处理步骤。
技术研发人员：杨鹏，高彪，吴立伟，王文毅，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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