三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法，其中，所述三维存储器，包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有测量标记；所述测量标记通过刻蚀所述堆叠结构而形成。成。成。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法。

技术介绍

[0002]存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维(3D)存储器应运而生。
[0003]目前，三维存储器主要包括垂直的沟道层，以及设置在沟道层外的水平堆叠的栅极结构。水平堆叠的栅极结构一般具有台阶区域(Stair Steps，SS)，以使每一层栅极通过相应的台阶面与垂直的接触孔(Contact，CT)导电连接，从而实现每一层栅极对应存储单元的寻址操作。实际制备过程中，如果台阶的形成位置发生偏移，后续工艺中形成的CT无法与相应的台阶准确对应，将导致对应栅极内的存储单元无法正常工作。因此，台阶区域内每一台阶的实际形成位置相对于预设形成位置的偏移情况，对于判断器件在该工艺阶段是否制备成功至关重要。
[0004]然而，由于台阶区域内各台阶需要经过多次刻蚀步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有测量标记；所述测量标记通过刻蚀所述堆叠结构而形成。2.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有测量标记；所述第一位置与所述台阶的预设形成位置对应；所述台阶位于台阶的实际形成位置；所述测量标记的位置以及所述台阶区域内台阶的实际形成位置，用于确定所述台阶的偏移量。3.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述测量标记形成于所述三维存储器的虚设区域内。4.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述测量标记形成于所述台阶区域内的部分台阶的表面上。5.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一位置距离相邻两台阶的预设形成位置的距离相等。6.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，李思晢，周玉婷，汤召辉，董明，曾凡清，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：