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本发明公开了一种三维存储器及三维存储器台阶区域的形成方法，其中，所述三维存储器，包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有测量标记；所述测量标记通过刻蚀所述堆叠结构...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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