一种RFID射频识别芯片的控制器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种RFID射频识别芯片的控制器电路，主要解决现有技术中芯片供电电路结构复杂导致体积较大、成本较高，易发热损坏的问题。该控制器电路包括控制模块，均与控制模块相连的通道切换开关、复位电路、稳压电路，与稳压电路相连的供电电路，以及与通道切换开关相连的射频识别收发控制电路。本实用新型专利技术通过对控制器电路的供电电路进行改进，采用H6103稳压芯片并结合稳压电路实现对控制模块的稳压供电，由此实现对通道切换开关的稳定控制，从而实现射频识别收发控制电路的稳定信号接收控制，提高射频识别芯片的信号识别稳定性。因此，适宜推广应用。

【技术实现步骤摘要】
一种RFID射频识别芯片的控制器电路
本技术涉及RFID射频识别芯片
，具体地说，是涉及一种RFID射频识别芯片的控制器电路。
技术介绍
射频识别技术(RadioFrequencyIdentification，RFID)是一种非接触式的无线识别技术，广泛运用于商品识别，人员出入管理，车辆停放等场景中。通常，RFID系统由电子、读写器和数据管理系统这三个主要部分组成。电子标签由天线和RFID芯片组成，每个RFID芯片都含有唯一的识别码，用来表示电子所附着的物体。读写器用来读写电子中的信息，读写器通过网络和其他计算机或系统通讯，完成对电子的信息获取、解释以及数据管理。RFID识别芯片是RFID系统中不可缺少的重要组成部分。控制器电路作为RFID射频识别芯片的运行大脑，其重要程度也是不言而喻的。但是，现有的RFID射频识别芯片的供电电路大多存在电路结构复杂、设计不够合理的问题，使得整个RFID射频识别芯片体积较大、成本较高，且使用过程中发热厉害，芯片易损坏，不利于用户成本上的节约。因此，有必要针对此种情况进行改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种RFID射频识别芯片的控制器电路，主要解决现有技术中芯片供电电路结构复杂导致体积较大、成本较高，易发热损坏的问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种RFID射频识别芯片的控制器电路，包括控制模块，均与控制模块相连的通道切换开关、复位电路、稳压电路，与稳压电路相连的供电电路，以及与通道切换开关相连的射频识别收发控制电路；所述供电电路包括型号为H6103的稳压芯片U1，正极与稳压芯片U1的第1引脚相连且负极接地的电解电容C1，与稳压芯片U1的第1引脚相连的电阻R1，一端与电阻R1另一端和稳压芯片U1的第2引脚相连且另一端接地的电容C2，一端与稳压芯片U1的第5引脚相连且另一端接地的电容C3，与稳压芯片U1的第3引脚相连的电阻R2、R3，连接于电阻R2另一端和电阻R3另一端之间的电容C4，并联后一端与稳压芯片U1的第4引脚相连且另一端接地的电阻R4、电容C5，连接于稳压芯片U1的第4引脚和第7引脚之间的电阻R5，连接于稳压芯片U1的第6引脚和第8引脚之间的电阻R6，与稳压芯片U1的第6引脚相连的电感L1，负极与稳压芯片U1的第2引脚相连且正极经电阻R7连接于电感L1另一端的二极管D1，正极与电感L1另一端相连且负极与电阻R3和电容C4的公共端相连的二极管D2，负极与稳压芯片U1的第8引脚相连其正极作为供电电路正极输出端的二极管D3，正极与二极管D2的正极相连且负极接地的电解电容C6，并联于电解电容C6两端的电阻R8；以及正极与输入电源相连，且负极与稳压芯片U1的第1引脚相连的二极管D4；其中，电阻R2和电容C4的公共端与电容C2的接地端相连，电感L1与二极管D2的公共端作为供电电路负极输出端。进一步地，所述通道切换开关包括通过多个引脚连接的芯片U2、芯片U3，一端与芯片U2的第15引脚相连、另一端与芯片U3的第14引脚相连的电容C7，一端与芯片U2的第14引脚相连、另一端与芯片U3的第14引脚相连的电容C8，固定端与芯片U2的第14引脚相连的单刀双掷开关S1，正极与芯片U2的Q4引脚相连、负极与芯片U2的第15引脚相连的二极管D5，一端与二极管D5的负极相连且另一端接地的电阻R8，一端与芯片U2的第14引脚相连且另一端接地的电阻R9，一端与芯片U2的第3引脚和芯片U3的第13引脚相连的电容C9，一端与芯片U2的第2引脚和芯片U3的第5引脚相连的电容C10，一端与芯片U2的第4引脚和芯片U3的第6引脚相连的电容C11，一端与电容C9、C10、C11的自由端相连且另一端接地的电阻R10；其中，芯片U3的第1、3、8、10引脚作为输入端与三极管VT1的集电极相连，开关S1的活动端与射频识别收发控制电路相连进一步地，所述复位电路包括与控制模块的RST引脚相连的按键开关K1、电阻R11、电解电容C12；其中，电解电容C12的另一负极端与按键开关K1另一端相连后接地，电阻R11的另一端接3.3V电压。进一步地，所述稳压电路包括稳压芯片U4，一端与稳压芯片U4的第2引脚相连后接VBAT且另一端与稳压芯片U4的第1引脚相连后接地的电容C13，一端与稳压芯片U4的第3引脚相连后接VDD且另一端与稳压芯片U4的第1引脚相连后接地的电容C14，以及一端与稳压芯片U4的第3引脚相连后接VDD且另一端与稳压芯片U4的第1引脚相连后接地的静电放电管E1；其中，稳压芯片U4的1、3引脚分别对应连接供电电路中电解电容C6的正、负极端。进一步地，所述射频识别收发控制电路包括与RFID射频识别芯片电路中的射频前端芯片TXD引脚相连的电阻R12，正极与电阻R12另一端相连、负极与射频前端芯片TXD引脚相连的二极管D6，与二极管D6的正极相连且另一端接地的电容C15，串联后一端与二极管D6的正极相连且另一端接地的电阻R13、R14，基极与电阻R13、R14公共端相连、发射极接地的三极管VT1，以及一端与三极管VT1的集电极相连且另一端与射频前端芯片的供电单元相连的电阻R15；其中，三极管VT1的集电极还与开关S1的活动端相连。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：(1)本技术通过对控制器电路的供电电路进行改进，采用H6103稳压芯片并结合稳压电路实现对控制模块的稳压供电，由此实现对通道切换开关的稳定控制，从而实现射频识别收发控制电路的稳定信号接收控制，提高射频识别芯片的信号识别稳定性。(2)本技术电路结构简单、成本低，电路配置常规易实现，适于推广应用。附图说明图1为本技术的原理框图。图2为本技术中供电电路原理图。图3为本技术中通道切换开关电路原理图。图4为本技术中复位电路电路原理图。图5为本技术中稳压电路原理图。图6为本技术中射频收发控制电路原理图。具体实施方式下面结合附图说明和实施例对本技术作进一步说明，本技术的方式包括但不仅限于以下实施例。实施例如图1所示，本技术公开的一种RFID射频识别芯片的控制器电路，包括控制模块，均与控制模块相连的通道切换开关、复位电路、稳压电路，与稳压电路相连的供电电路，以及与通道切换开关相连的射频识别收发控制电路。在本实施例中，所述控制模块采用常规的STM单片机，其具体型号可采用STM32F103RB。电路主要利用供电电路结合稳压电路实现对控制模块的稳压供电，由此实现对通道切换开关的稳定控制，从而实现射频识别收发控制电路的稳定信号接收控制，提高射频识别芯片的信号识别稳定性。如图2所示，在本实施例中，所述供电电路包括型号为H6103的稳压芯片U1，正极与稳压芯片U1的第1引脚相连且负极接地的电解电容C1，与稳压芯片U1的第1引脚相连的电阻R1，一端与电阻R1另一端和稳压芯片U1的第2引脚相连且另一端接地的电容C2，一端与稳压芯片U本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RFID射频识别芯片的控制器电路，其特征在于，包括控制模块，均与控制模块相连的通道切换开关、复位电路、稳压电路，与稳压电路相连的供电电路，以及与通道切换开关相连的射频识别收发控制电路；所述供电电路包括型号为H6103的稳压芯片U1，正极与稳压芯片U1的第1引脚相连且负极接地的电解电容C1，与稳压芯片U1的第1引脚相连的电阻R1，一端与电阻R1另一端和稳压芯片U1的第2引脚相连且另一端接地的电容C2，一端与稳压芯片U1的第5引脚相连且另一端接地的电容C3，与稳压芯片U1的第3引脚相连的电阻R2、R3，连接于电阻R2另一端和电阻R3另一端之间的电容C4，并联后一端与稳压芯片U1的第4引脚相连且另一端接地的电阻R4、电容C5，连接于稳压芯片U1的第4引脚和第7引脚之间的电阻R5，连接于稳压芯片U1的第6引脚和第8引脚之间的电阻R6，与稳压芯片U1的第6引脚相连的电感L1，负极与稳压芯片U1的第2引脚相连且正极经电阻R7连接于电感L1另一端的二极管D1，正极与电感L1另一端相连且负极与电阻R3和电容C4的公共端相连的二极管D2，负极与稳压芯片U1的第8引脚相连其正极作为供电电路正极输出端的二极管D3，正极与二极管D2的正极相连且负极接地的电解电容C6，并联于电解电容C6两端的电阻R8；以及正极与输入电源相连，且负极与稳压芯片U1的第1引脚相连的二极管D4；其中，电阻R2和电容C4的公共端与电容C2的接地端相连，电感L1与二极管D2的公共端作为供电电路负极输出端。/n...

【技术特征摘要】
1.一种RFID射频识别芯片的控制器电路，其特征在于，包括控制模块，均与控制模块相连的通道切换开关、复位电路、稳压电路，与稳压电路相连的供电电路，以及与通道切换开关相连的射频识别收发控制电路；所述供电电路包括型号为H6103的稳压芯片U1，正极与稳压芯片U1的第1引脚相连且负极接地的电解电容C1，与稳压芯片U1的第1引脚相连的电阻R1，一端与电阻R1另一端和稳压芯片U1的第2引脚相连且另一端接地的电容C2，一端与稳压芯片U1的第5引脚相连且另一端接地的电容C3，与稳压芯片U1的第3引脚相连的电阻R2、R3，连接于电阻R2另一端和电阻R3另一端之间的电容C4，并联后一端与稳压芯片U1的第4引脚相连且另一端接地的电阻R4、电容C5，连接于稳压芯片U1的第4引脚和第7引脚之间的电阻R5，连接于稳压芯片U1的第6引脚和第8引脚之间的电阻R6，与稳压芯片U1的第6引脚相连的电感L1，负极与稳压芯片U1的第2引脚相连且正极经电阻R7连接于电感L1另一端的二极管D1，正极与电感L1另一端相连且负极与电阻R3和电容C4的公共端相连的二极管D2，负极与稳压芯片U1的第8引脚相连其正极作为供电电路正极输出端的二极管D3，正极与二极管D2的正极相连且负极接地的电解电容C6，并联于电解电容C6两端的电阻R8；以及正极与输入电源相连，且负极与稳压芯片U1的第1引脚相连的二极管D4；其中，电阻R2和电容C4的公共端与电容C2的接地端相连，电感L1与二极管D2的公共端作为供电电路负极输出端。


2.根据权利要求1所述的一种RFID射频识别芯片的控制器电路，其特征在于，所述通道切换开关包括通过多个引脚连接的芯片U2、芯片U3，一端与芯片U2的第15引脚相连、另一端与芯片U3的第14引脚相连的电容C7，一端与芯片U2的第14引脚相连、另一端与芯片U3的第14引脚相连的电容C8，固定端与芯片U2的第14引脚相连的单刀双掷开关S1，正极与芯片U2的Q4引脚相连、负极与芯片U2的第15引脚相连的二极管D5，一端与二极管D5的负极相连且另一端接地的电阻R8，一端与芯片U2的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：何文君，
申请(专利权)人：四川华讯新科科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51