一种射频信号接收芯片的混频器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频信号接收芯片的混频器电路，主要解决现有混频器工作电压不稳定，电压调节电路调节精度低，调节灵活性差的问题。该混频器电路包括依次连接的输入匹配网络、耦合器、混频器、中频调理电路和输出匹配网络，以及与混频器相连的电压调节电路。通过上述设计，本实用新型专利技术通过设置电压调节电路，电压调节电路的输出电压信号根据输入电压的大小进行稳压调整，使接入混频器的工作电压保持稳定，电路整体通过控制功率管实现调节混频器供电电压的目的，相较于传统通过调节分压电阻的方式能够有效提高电压调节精度，以及提高电压调节的灵活性。因此，适宜推广应用。

【技术实现步骤摘要】
一种射频信号接收芯片的混频器电路
本技术涉及射频信号处理
，具体地说，是涉及一种射频信号接收芯片的混频器电路。
技术介绍
随着多种通信标准广泛共存，越来越多的无线通信设备需要满足多频段、高带宽要求，这给系统设计，特别是射频电路设计带来极大的挑战。受制于半导体技术制约以及射频技术本身的复杂性，高性能、宽带射频集成电路的设计实现通常难度非常大，射频器件在满足高带宽、低噪声、无杂散动态范围等关键技术指标上常常左支右绌。而混频器作为射频电路设计的关键器件之一，无疑是典型代表。混频器工作时，由于射频接收芯片制造工艺的影响，导致混频器遇到不稳定电压时容易产生波动，如果不对供电电压进行稳压调节，会导致混频器的变频增益/损耗达不到系统要求，为此，需要输出电压能够调节的稳压电路，比如，LDO。目前常用的技术手段是通过调节分压电阻阻值来调节输出电压，调节精度低，调节灵活性差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种射频信号接收芯片的混频器电路，主要解决现有混频器工作电压不稳定，电压调节电路调节精度低，调节灵活性差的问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种射频信号接收芯片的混频器电路，包括依次连接的输入匹配网络、耦合器、混频器、中频调理电路和输出匹配网络，以及与混频器相连的电压调节电路；所述电压调节电路包括外接供电电源的电阻R1、R2，基极与电阻R1另一端相连、发射极与电阻R1、R2的公共端相连的三极管VT1，正极与三极管VT1的基极相连的二极管D1，一端与三极管VT1的集电极相连且另一端与二极管D1的负极相连的电阻R3，负极与三极管VT1的集电极且正极与电阻R1的另一端相连的电容C1，正极与电容C1的正极相连的二极管D2，基极与二极管D2的负极相连的三极管VT2，集电极与三极管VT2的集电极相连的三极管VT3，一端与三极管VT1的集电极相连且另一端与三极管VT2的集电极相连的电阻R4，一端与二极管D1的负极相连且另一端与三极管VT3的发射极相连的电阻R5，正极与三极管VT3的发射极相连且负极与三极管VT3的基极相连的二极管D3，一端与二极管D1的负极相连且另一端与三极管VT2的发射极相连的电阻R6，以及正极与三极管VT3的基极相连且负极经电阻R7与三极管VT2的基极相连的电容C2；其中，电容C2的负极作为电压调节电路的输出端与混频器相连。进一步地，所述中频调理电路包括与混频器输出端相连的滤波器，与滤波器输出端相连的可调放大输出电路，以及与可调放大输出电路的输出端相连的模数转换器；其中，可调放大输出电路的另一输入端还接入基准参考电压。进一步地，所述输入匹配网络包括连接信号输入端的电感L1，与电感L1另一端相连的电容C3、电感L2，一端与电容C3的另一端相连且另一端接地的电感L3，以及与电感L2另一端相连的电阻R8；其中电阻R8的另一端与耦合器的输入端相连。进一步地，所述输出匹配网络包括与模数转换器输出端相连的电阻R9，并联后一端与电阻R9的另一端相连的电容C4、电感L4，以及与电容C4、电感L4并联后另一端相连的电容C5。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：(1)本技术通过设置电压调节电路，电压调节电路的输出电压信号根据输入电压的大小进行稳压调整，使接入混频器的工作电压保持稳定，电路整体通过控制功率管实现调节混频器供电电压的目的，相较于传统通过调节分压电阻的方式能够有效提高电压调节精度，以及提高电压调节的灵活性。(2)本技术通过设置中频调理电路，利用可调放大输出电路结合基准参考电压，使可调放大输出电路产生的共模信号实现可调，从而减小混频器输出信号的共模电压与模数转换器参考共模电压的误差，提高与模数转换器的适配度，且使得混频器能适配连接不同的模数转换器，适用范围大。附图说明图1为本技术的整体示意图。图2为本技术中电压调节电路原理图。图3为本技术中输入匹配网络原理图。图4为本技术中输出匹配网络原理图。图5为本技术中中频调理电路原理图。具体实施方式下面结合附图说明和实施例对本技术作进一步说明，本技术的方式包括但不仅限于以下实施例。实施例如图1所示，本技术公开的一种射频信号接收芯片的混频器电路，包括依次连接的输入匹配网络、耦合器、混频器、中频调理电路和输出匹配网络，以及与混频器相连的电压调节电路。其中，所述中频调理电路包括与混频器输出端相连的滤波器，与滤波器输出端相连的可调放大输出电路，以及与可调放大输出电路的输出端相连的模数转换器；其中，可调放大输出电路的另一输入端还接入基准参考电压。在本实施例中，可调放大输出电路采用如图5所示的常见一种形式。优选的是，所述耦合器的型号为4N25。具体地，输入信号经过输入匹配网络后，将射频信号接收芯片中的晶体管的阻抗转换成信号源的源阻抗，完成共扼匹配，从而获得最大的射频功率增益，随后信号通过耦合器后进入到混频器，混频器输出的信号经过中频调理电路，利用可调放大输出电路结合基准参考电压，使可调放大输出电路产生的共模信号实现可调，从而减小混频器输出信号的共模电压与模数转换器参考共模电压的误差，提高与模数转换器的适配度，且使得混频器能适配连接不同的模数转换器，适用范围大。最后信号经过输出匹配网络后。使得经过可调放大输出电路产生的谐波得到抑制。如图2所示，在本实施例中，所述电压调节电路包括外接供电电源的电阻R1、R2，基极与电阻R1另一端相连、发射极与电阻R1、R2的公共端相连的三极管VT1，正极与三极管VT1的基极相连的二极管D1，一端与三极管VT1的集电极相连且另一端与二极管D1的负极相连的电阻R3，负极与三极管VT1的集电极且正极与电阻R1的另一端相连的电容C1，正极与电容C1的正极相连的二极管D2，基极与二极管D2的负极相连的三极管VT2，集电极与三极管VT2的集电极相连的三极管VT3，一端与三极管VT1的集电极相连且另一端与三极管VT2的集电极相连的电阻R4，一端与二极管D1的负极相连且另一端与三极管VT3的发射极相连的电阻R5，正极与三极管VT3的发射极相连且负极与三极管VT3的基极相连的二极管D3，一端与二极管D1的负极相连且另一端与三极管VT2的发射极相连的电阻R6，以及正极与三极管VT3的基极相连且负极经电阻R7与三极管VT2的基极相连的电容C2；其中，电容C2的负极作为电压调节电路的输出端与混频器相连。该电路整体通过控制功率管实现调节混频器供电电压的目的，相较于传统通过调节分压电阻的方式能够有效提高电压调节精度，以及提高电压调节的灵活性。如图3所示，在本实施例中，所述输入匹配网络包括连接信号输入端的电感L1，与电感L1另一端相连的电容C3、电感L2，一端与电容C3的另一端相连且另一端接地的电感L3，以及与电感L2另一端相连的电阻R8；其中电阻R8的另一端与耦合器的输入端相连。如图4所示，在本实施例中，所述输出匹配网络包括与模数转换器输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频信号接收芯片的混频器电路，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络、耦合器、混频器、中频调理电路和输出匹配网络，以及与混频器相连的电压调节电路；所述电压调节电路包括外接供电电源的电阻R1、R2，基极与电阻R1另一端相连、发射极与电阻R1、R2的公共端相连的三极管VT1，正极与三极管VT1的基极相连的二极管D1，一端与三极管VT1的集电极相连且另一端与二极管D1的负极相连的电阻R3，负极与三极管VT1的集电极且正极与电阻R1的另一端相连的电容C1，正极与电容C1的正极相连的二极管D2，基极与二极管D2的负极相连的三极管VT2，集电极与三极管VT2的集电极相连的三极管VT3，一端与三极管VT1的集电极相连且另一端与三极管VT2的集电极相连的电阻R4，一端与二极管D1的负极相连且另一端与三极管VT3的发射极相连的电阻R5，正极与三极管VT3的发射极相连且负极与三极管VT3的基极相连的二极管D3，一端与二极管D3的负极相连且另一端与三极管VT2的发射极相连的电阻R6，以及正极与三极管VT3的基极相连且负极经电阻R7与三极管VT2的基极相连的电容C2；其中，电容C2的负极作为电压调节电路的输出端与混频器相连。/n...

【技术特征摘要】
1.一种射频信号接收芯片的混频器电路，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络、耦合器、混频器、中频调理电路和输出匹配网络，以及与混频器相连的电压调节电路；所述电压调节电路包括外接供电电源的电阻R1、R2，基极与电阻R1另一端相连、发射极与电阻R1、R2的公共端相连的三极管VT1，正极与三极管VT1的基极相连的二极管D1，一端与三极管VT1的集电极相连且另一端与二极管D1的负极相连的电阻R3，负极与三极管VT1的集电极且正极与电阻R1的另一端相连的电容C1，正极与电容C1的正极相连的二极管D2，基极与二极管D2的负极相连的三极管VT2，集电极与三极管VT2的集电极相连的三极管VT3，一端与三极管VT1的集电极相连且另一端与三极管VT2的集电极相连的电阻R4，一端与二极管D1的负极相连且另一端与三极管VT3的发射极相连的电阻R5，正极与三极管VT3的发射极相连且负极与三极管VT3的基极相连的二极管D3，一端与二极管D3的负极相连且另一端与三极管VT2的发射极相连的电阻R6，以及正极与三极管VT3的基极相连且负极经电阻R7与三...

【专利技术属性】
技术研发人员：何文君，
申请(专利权)人：四川华讯新科科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51