用于承载晶片之具有疏水薄层的捲带薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种用于承载晶片的捲带薄膜，包含绝缘基板，具有前面、后面及介于所述前面及所述后面的侧面；配线图案形成于所述绝缘基板的所述前面；防焊层形成于所述绝缘基板的所述前面且部份地覆盖所述配线图案；以及疏水薄层形成于所述捲带薄膜的表面，其中所述疏水薄层覆盖所述防焊层或所述配线图案，且覆盖所述绝缘基板的后面及侧面。

【技术实现步骤摘要】
用于承载晶片之具有疏水薄层的捲带薄膜及其制造方法
本专利技术涉及捲带薄膜，特别涉及可承载半导体晶片的捲带薄膜。
技术介绍
承载晶片用的软质线路基板多为捲带薄膜。在业界捲带薄膜与晶片的结合依不同装配模式有各种称呼，例如TCP(TapeCarrierPackage捲带式载体封装)或COF(ChipOnFilm薄膜覆晶封装)。TCP及COF都是运用软质线路基板作为封装晶片的载体。此等捲带薄膜长度为数公尺其上设有传动孔，以使其可在机台上运作承载数量多的晶片并透过传动孔进行运送。在晶片厂，透过热压可将晶片上的金凸块(GoldBump)与位于捲带薄膜上的配线图案的内引脚接合。在面板厂，透过ACF胶可使导电玻璃与位于捲带薄膜上的配线图案的外引脚接合。已知的捲带薄膜易于在恶劣环境及长时间使用下产生劣化。此劣化可能的原因之一在于水气渗透捲带薄膜内部导致线路锈化而形成漏电。虽然已知的捲带薄膜有防焊层保护以防水气渗透，然而因线路设计的需要，防焊层往往未能全面地覆盖捲带薄膜整体，致使水气仍可能从绝缘基板或配线图案裸露区域侵入。专利文献1(US200601453517A1)揭露在晶片周围涂布防水层的作法。专利文献2(KR20170114906A)揭露在捲带薄膜上建构疏水性结构的作法。惟此等作法依然存在各种待解决的问题。
技术实现思路
本案专利技术人经研究后发现上述现有技术在实务上仍存在许多问题。专利文献1的防水层涂布在晶片周围，而且是在封装晶片时将防水层涂在底部填充胶(underfill)上。专利文献1的作法易于晶片周围区域产生厚膜，导致使此等区域难以弯折。专利文献2的疏水性结构位在晶片周围的防焊层上以及面板的玻璃基板上，其包含条状的屏障坝以及其上的疏水层。专利文献2的作法相当复杂成本高难以实施。再者，不论是专利文献1之的防水层或专利文献2的疏水性结构都只考虑捲带薄膜的晶片周围的局部区域。况且，专利文献1或专利文献2依其设计都需在晶片封装当时或与后续玻璃面板贴合时实施，故防水结构无法由捲带薄膜制造厂先制作，此对晶片封装厂或面板厂是相当不便的。有鉴于上述，本专利技术提供可在捲带薄膜制造厂可先制作的具有疏水薄层的捲带薄膜。此对晶片封装厂或面板厂而言方便性大增而具商业价值。于一方面，本专利技术将已制作好导线线路、镀锡及防焊层的捲带薄膜，在其表面，包含前面、后面及侧面整体地涂布疏水薄层。疏水薄层可直接接触并覆盖配线图案，例如内引脚或外引脚。因疏水薄层的厚度很薄，很容易排除，不影响内引脚接合晶片或外引脚接合导电玻璃的制程。详言之，本专利技术的具有疏水薄层的捲带薄膜，可直接进行后制程接合制程，包括晶片接合或与面板的显示幕端子部黏接等。在高温晶片接合的过程中，疏水薄层会烧除，因此晶片接合制程可正常进行。与面板的显示幕端子部黏接时，疏水薄层厚度够薄，在压接过程疏水薄层即可轻易被穿透，故不影响黏接处的电气性能。依据一实施例，本专利技术提供一种用于承载晶片的捲带薄膜，包含绝缘基板，具有前面、后面及介于所述前面及所述后面的侧面；配线图案形成于所述绝缘基板的所述前面；防焊层形成于所述绝缘基板的所述前面且部份地覆盖所述配线图案；以及疏水薄层形成于所述捲带薄膜的表面，其中所述疏水薄层覆盖所述防焊层或所述配线图案且覆盖所述绝缘基板的后面及侧面。依据另一实施例，本专利技术疏水薄层全面或近全面地覆盖捲带薄膜，以提供完整的水气防护。与现有技术相比，本专利技术的防水面积大幅增加，可有效地降低水气经毛细现象渗入防焊层与配线图案及绝缘基板间的机率。于另一方面，本专利技术的疏水薄层并未限制在捲带薄膜制造厂制作，其可视需要到晶片封装厂、面板厂或其他合适地点制作。本专利技术尚包含其它各方面及各种实施例用以解决其它问题，而且结合以上所述各方面详细揭露在以下实施说明中。附图说明下面将结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细说明。图1A为依据本专利技术一实施例显示用于承载晶片的捲带薄膜100的俯视示意图。图1B为显示图1A的I至I’区域的剖面示意图。元件标号说明10绝缘基板10f前面10s侧面10r后面20配线图案21基材金属层22导电性金属层23锡层30防焊层40疏水薄层50传动孔51孔壁100捲带薄膜Lo外引脚区Ln内引脚区Lt测试引脚区Ps非引脚区具体实施方式以下将参考所附图式示范本专利技术的较佳实施例。为避免模糊本专利技术的内容，以下说明亦省略已知元件、相关材料、及其相关处理技术。同时，为清楚说明本专利技术，所附图式中各元件未必按实际的尺寸或相对比例绘制。本专利技术具有疏水薄层的捲带薄膜。图1A为依据本专利技术一实施例显示用于承载晶片的捲带薄膜100的俯视示意图。图1B为显示图1A之I至I’区域的剖面示意图。捲带薄膜100长度可达数公尺以承载多个晶片，图1A只显示承载1个晶片的区域。同时参考图1A及1B，捲带薄膜100包含绝缘基板10，具有前面10f、后面10r及介于前面10f及后面10r的侧面10s。图1A为从绝缘基板10的前面10f观测的示意图。图1B为从绝缘基板10的侧面10s观测的示意图。如图所示，捲带薄膜100更包含配线图案20形成于绝缘基板10的前面10f；防焊层30同样形成于绝缘基板10的前面10f且部份地覆盖配线图案20；以及疏水薄层40形成于捲带薄膜100的表面，其中疏水薄层40覆盖防焊层30及配线图案20且覆盖所述绝缘基板10的后面10r及侧面10s。配线图案20定义非引脚区Ps(以虚线框起来的部分)，此区域由防焊层30所覆盖以保护线路。配线图案20于非引脚区Ps以外的区域即引脚区，可再区分成内引脚区Ln、外引脚区Lo及视需要存在的测试引脚区Lt，内引脚区Ln将与晶片相接，外引脚区Lo将外接电路板或其他电子装置，测试引脚区Lt则用于与量测仪器相接，以检测封装晶片的品质。绝缘基材10可使用软性且具有耐药品性及耐热性的材料，例如聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺等。绝缘基材10的厚度一般为12μm至125μm。配线图案20可为各种合适的金属材料制成。举例而言，配线图案20可为基材金属层21、导电性金属层22及焊接用锡层23所构成，其中基材金属层21可为镍铬、导电性金属层22可为铜。在绝缘基材10上形成配线图案20是藉由已知的微影法。配线图案20的厚度例如为6至70μm。可使用已知的环氧树脂(o-CresolNovalac/Phenol/DGEBA)类型的油墨或其他合适的油墨以网版印刷技术完成防焊层30。防焊层30的厚度一般为25μm至125μm。疏水薄层40是在以上所述配线图案20以及防焊层30都已施作于绝缘基板10的前面10f后，才涂覆在捲带薄膜100表面的薄层。在较佳实施例中，疏水薄层40为将疏水分散液经过喷涂后透过烘干去除溶剂(较佳为水)而在捲带薄膜100的表面成型的薄膜。疏水薄层40的厚度之较佳范围为10nm至1000nm。参考图1A及1B，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于承载晶片的捲带薄膜，其特征在于，包含：/n绝缘基板，具有前面、后面及介于所述前面及所述后面的侧面；/n配线图案形成于所述绝缘基板的所述前面；/n防焊层形成于所述绝缘基板的所述前面且部份地覆盖所述配线图案；以及/n疏水薄层形成于所述捲带薄膜的表面，其中所述疏水薄层覆盖所述防焊层或所述配线图案，且覆盖所述绝缘基板的所述后面及所述侧面。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于承载晶片的捲带薄膜，其特征在于，包含：
绝缘基板，具有前面、后面及介于所述前面及所述后面的侧面；
配线图案形成于所述绝缘基板的所述前面；
防焊层形成于所述绝缘基板的所述前面且部份地覆盖所述配线图案；以及
疏水薄层形成于所述捲带薄膜的表面，其中所述疏水薄层覆盖所述防焊层或所述配线图案，且覆盖所述绝缘基板的所述后面及所述侧面。


2.如权利要求1所述的捲带薄膜，其特征在于，所述疏水薄层直接接触所述配线图案。


3.如权利要求1所述的捲带薄膜，其特征在于，所述疏水薄层直接接触所述防焊层。


4.如权利要求1所述的捲带薄膜，其特征在于，所述疏水薄层直接接触所述绝缘基板的所述前面。


5.如权利要求1所述的捲带薄膜，其特征在于，所述疏水薄层直接接触所述绝缘基板的所述侧面。


6.如权利要求1所述的捲带薄膜，其特征在于，所述疏水薄层直接接触所述绝缘基板的所述后面。


7.如权利要求1所述的捲带薄膜，其特征在于，所述捲带薄膜还包含传动孔于所述绝缘基板的外缘，所述传动孔具有孔壁，所述疏水薄层覆盖所述孔壁。


8.如权利要求1所述的捲带薄膜，其特征在于，所述疏水薄层为藉由涂布疏水分散液所制成。


9.如权利要求8所述的捲带薄膜，其特征在于，所述疏水分散液的成分选自于成膜剂、疏水剂、...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏兆璟，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71