一种磁控溅射镀膜方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种磁控溅射镀膜方法及装置，其中磁控溅射镀膜方法包括以下步骤：将工作气体进行电离，靶材与基片之间形成气体正离子和气体负离子；气体正离子轰击靶材，靶材原子脱离靶材往靠近基片的方向运动；隔离磁场对靠近基板的空气正离子进行隔离，减少空气正离子在基片表面成膜时渗入膜中；靶材原子沉积于基片，本发明专利技术中磁控溅射镀膜方法及装置在靶材和基片之间设置隔离磁场，隔离磁场可对气体正离子进行阻拦，减少空气正离子在基片表面成膜时渗入膜中，提升膜的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射镀膜方法及装置
本专利技术涉及镀膜设备
，尤其涉及一种磁控溅射镀膜方法及装置。
技术介绍
磁控溅射镀膜是指将涂层材料做为靶阴极，利用氩离子轰击靶材，产生阴极溅射，把靶材原子溅射到工件上形成沉积层的一种镀膜技术。磁控溅射镀膜的优点为：膜层附着力强；膜层组织致密，耐蚀性好；具有绕镀性能，能够在形状复杂的零件表面镀膜；成膜速率高，可与蒸发镀膜的速率相当，且可镀厚膜。但是磁控溅射镀膜过程中，由于到达基片的不仅有中性气体分子还有气体正离子，气体分子会吸附在膜的表面，而正离子还能渗入薄膜中一定的深度，所以沉积的薄膜中含气较高，影响膜质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中溅射镀膜的薄膜中含气较高的问题，而提出的一种磁控溅射镀膜方法及装置，减少减所得薄膜中气体含量，提升薄膜质量。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种磁控溅射镀膜方法，包括以下步骤：S1：将工作气体进行电离，靶材与基片之间形成气体正离子和气体负离子；S2：气体正离子轰击靶材，靶材原子脱离靶材往本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控溅射镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：将工作气体进行电离，靶材与基片之间形成气体正离子和气体负离子；/nS2：气体正离子轰击靶材，靶材原子脱离靶材往靠近基片的方向运动；/nS3：隔离磁场对靠近基板的空气正离子进行隔离；/nS4：靶材原子沉积于基片。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将工作气体进行电离，靶材与基片之间形成气体正离子和气体负离子；
S2：气体正离子轰击靶材，靶材原子脱离靶材往靠近基片的方向运动；
S3：隔离磁场对靠近基板的空气正离子进行隔离；
S4：靶材原子沉积于基片。


2.基于权利要求1所述的磁控溅射镀膜方法的一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，包括镀膜箱(1)，所述镀膜箱(1)内部设置平行设置的用于承载靶材(5)的背板(4)和基片载体(10)，所述背板(4)和基片载体(10)之间设置隔离磁场发生器(8)，所述背板(4)连接电极的阴极(2)，所述背板(4)的非承载侧设置磁场(3)，所述镀膜箱(1)设置用于将镀膜箱(1)抽成真空状态的真空管(7)和用于工作气体进气的进气管(6)。


3.根据权利要求1所述的一种磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘同春，李又舟，
申请(专利权)人：湖南匡楚科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43