【技术实现步骤摘要】
影像感测件、光学结构及其形成方法
本揭露是有关于半导体装置，特别是关于一种背照互补式金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor；CMOS)影像感测件及其形成方法。
技术介绍
半导体影像感测件是用来感测电磁辐射(如：可见光、红外辐射及/或紫外光)。互补式金属氧化物半导体影像感测件(CMOSimagesensors；CIS)及电荷耦合元件(charged-coupleddevice；CCD)感测件用于各种应用中(如：数字相机或移动装置中的嵌设相机)中。这些装置利用像素阵列(其中像素阵列可包含发光二极管及晶体管)以利用电子电洞对的光生成来侦测辐射。背照式(backsideilluminated；BSI)影像感测件是配置以侦测冲击到半导体基材背侧的光线的影像感测件。用以侦测和处理光生成信号的互补式金属氧化物半导体电路可形成在半导体基材的前侧。
技术实现思路
本揭露提出一种光学结构，可包含多个光感元件、光学折射层、栅格结构及光学透明层，其中多个光感元件位于半导体基...
【技术保护点】
1.一种光学结构，其特征在于，包含：/n多个光感元件，位于一半导体基材的一前侧；/n一光学折射层，位于该半导体基材的一背侧，其中该光学折射层具有一第一折射率，该光学折射层包含多个平面远端表面部分及多个非平面远端表面部分，且所述多个非平面远端表面部分包含多个随机突出部；/n一栅格结构，位于所述多个平面远端表面部分上且包含多个开口，其中所述多个开口位于所述多个非平面远端表面部分之上；以及/n一光学透明层，垂直延伸而贯穿该栅格结构中的所述多个开口，并接触所述多个非平面远端表面部分，其中该光学透明层具有不同于该第一折射率的一第二折射率，并利用所述多个非平面远端表面部分提供一折射界面...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20191216 US 16/715,3181.一种光学结构，其特征在于，包含：
多个光感元件，位于一半导体基材的一前侧；
一光学折射层，位于该半导体基材的一背侧，其中该光学折射层具有一第一折射率，该光学折射层包含多个平面远端表面部分及多个非平面远端表面部分，且所述多个非平面远端表面部分包含多个随机突出部；
一栅格结构，位于所述多个平面远端表面部分上且包含多个开口，其中所述多个开口位于所述多个非平面远端表面部分之上；以及
一光学透明层，垂直延伸而贯穿该栅格结构中的所述多个开口，并接触所述多个非平面远端表面部分，其中该光学透明层具有不同于该第一折射率的一第二折射率，并利用所述多个非平面远端表面部分提供一折射界面，使入射光以多个随机方向折射。
2.根据权利要求1所述的光学结构，其特征在于，其中该栅格结构包含至少一金属栅格结构，且该至少一金属栅格结构具有多个反射侧壁。
3.根据权利要求1所述的光学结构，其特征在于，还包含一遮罩结构阵列，其中该遮罩结构阵列位于该光学折射层的所述多个非平面远端表面部分的多个区域之外，该遮罩结构阵列具有多个侧壁，且所述多个侧壁接触且位于相应的该栅格结构的一上表面的一部分之上，其中该光学透明层位于该遮罩结构阵列之上。
4.一种影像感测件，其特征在于，包含：
一像素阵列，位于一半导体基材上，其中该像素阵列的每一像素包含至少一次像素，每一该至少一次像素包含相应的一光感元件及相应的一感测电路，且该光感元件及该感测电路位于该半导体基材的一前表面；
一光学折射层，位于该半导体基材的一背侧，其中该光学折射层具有一第一折射率，该光学折射层包含多个平面远端表面部分及多个非平面远端表面部分，且所述多个非平面远端表面部分包含多个随机突出部，其中以一俯视视角，每一所述非平面远端表面部分与相应的所述光感元件呈现一区域上的重叠；
一栅格结构，位于所述多个平面远端表面部分上，其中该栅格结构包含多个开口，且所述多个开口位于所述多个非平面远端表面部分之上；以及
一光学透明层，垂直延伸而贯穿该栅格结构中的所述多个开口，其中该光学透明层具有一第二折射率，且该第二折射率不同于该第一折射率。
技术研发人员：陈柏瀚，李国政，张復诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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