集成芯片以及形成集成芯片的方法技术

本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)及形成集成芯片的方法。所述集成芯片包括位于衬底中的第一相位检测自动聚焦(PDAF)光电检测器及第二PDAF光电检测器。第一电磁辐射(EMR)漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第一PDAF光电检测器的周边以内。第一EMR漫反射器与第一PDAF光电检测器的第一侧间隔开第一距离且与第一PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第一距离小的第二距离。第二EMR漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第二PDAF光电检测器的周边以内。第二EMR漫反射器与第二PDAF光电检测器的第一侧间隔开第三距离且与第二PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第三距离小的第四距离。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片以及形成集成芯片的方法
本公开的实施例涉及一种集成芯片以及形成集成芯片的方法。
技术介绍
具有图像传感器的集成芯片(integratedchip，IC)被用于各种各样的现代电子装置(例如，数字照相机、光学成像装置等)中。近年来，互补金属氧化物半导体(complementarymetal-oxidesemiconductor，CMOS)图像传感器已开始得到广泛使用，大大地替代了电荷耦合装置(charge-coupleddevice，CCD)图像传感器。与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器因功耗低、尺寸小、数据处理快、直接输出数据及制造成本低而越来越受到青睐。一些类型的CMOS图像传感器包括前侧照明式(front-sideilluminated，FSI)图像传感器及背侧照明式(back-sideilluminated，BSI)图像传感器。
技术实现思路
本公开实施例的一种集成芯片，包括：一对相位检测自动聚焦光电检测器；第一电磁辐射漫反射器；以及第二电磁辐射漫反射器。所述一对相位检测自动聚焦光电检测器，设置在半导体衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，包括：/n一对相位检测自动聚焦光电检测器，设置在半导体衬底中，其中所述一对相位检测自动聚焦光电检测器包括第一相位检测自动聚焦光电检测器及在侧向上与所述第一相位检测自动聚焦光电检测器间隔开的第二相位检测自动聚焦光电检测器，且其中所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧面对所述第二相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧；/n第一电磁辐射漫反射器，沿着所述半导体衬底的背侧设置且设置在所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的周边以内，其中所述第一电磁辐射漫反射器在侧向上与所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧间隔开第一距离，其中所述第一电磁辐射漫反射器在侧向上与所述第一相位检测自动聚焦...

【技术特征摘要】
20191217 US 62/948,920;20200914 US 17/019,5021.一种集成芯片，包括：
一对相位检测自动聚焦光电检测器，设置在半导体衬底中，其中所述一对相位检测自动聚焦光电检测器包括第一相位检测自动聚焦光电检测器及在侧向上与所述第一相位检测自动聚焦光电检测器间隔开的第二相位检测自动聚焦光电检测器，且其中所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧面对所述第二相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧；
第一电磁辐射漫反射器，沿着所述半导体衬底的背侧设置且设置在所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的周边以内，其中所述第一电磁辐射漫反射器在侧向上与所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧间隔开第一距离，其中所述第一电磁辐射漫反射器在侧向上与所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第二侧间隔开比所述第一距离小的第二距离，且其中所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第二侧与所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧相对；以及
第二电磁辐射漫反射器，沿着所述半导体衬底的所述背侧设置且设置在所述第二相位检测自动聚焦光电检测器的周边以内，其中所述第二电磁辐射漫反射器在侧向上与所述第二相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧间隔开第三距离，其中所述第二电磁辐射漫反射器在侧向上与所述第二相位检测自动聚焦光电检测器的第二侧间隔开比所述第三距离小的第四距离，且其中所述第二相位检测自动聚焦光电检测器的第二侧与所述第二相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧相对。


2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第一距离与所述第三距离相同。


3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中所述第二距离与所述第四距离相同。


4.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：
介电层，设置在所述半导体衬底的所述背侧之上且填充所述第一电磁辐射漫反射器及所述第二电磁辐射漫反射器二者；且
所述介电层具有比所述半导体衬底低的折射率。


5.根据权利要求4所述的集成芯片，其中所述第一电磁辐射漫反射器的高度与所述第二电磁辐射漫反射器的高度相同。


6.一种集成芯片，包括：
第一相位检测自动聚焦光电检测器，设置在半导体衬底中；
第二相位检测自动聚焦光电检测器，设置在所述半导体衬底中且在侧向上与所述第一相位检测自动聚焦光电检测器间隔开；
第一微透镜，设置在所述半导体衬底及所述第一相位检测自动聚焦光电检测器之上，其中所述第一微透镜被配置成将入射电磁辐射朝所述第一相位检测自动聚焦光电检测器聚焦；
第二微透镜，设置在所述半导体衬底及所述第二相位检测自动聚焦光电检测器之上，其中所述第二微透镜被配置成将入射电磁辐射朝所述第二相位检测自动聚焦光电检测器聚焦；
电磁辐射屏蔽件，在垂直方向上设置在所述半导体衬底与所述第一微透镜之间，其中所述电磁辐射屏蔽件在侧向上设置在所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧与所述第二相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧之间，且其中所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧面对所述第二相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧；
第一电磁辐射漫反射器，沿着所述半导体衬底的背侧设置且设置在所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧与所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的和所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧相对的第二侧之间，且其中所述第一电磁辐射漫反射器的中心点设置得与所述第一相位检测自动聚焦光电检测器的第一侧相比更靠近所述第一相位检...

【专利技术属性】
技术研发人员：周耕宇，庄君豪，吴纹浩，黄正宇，江伟杰，张志光，桥本一明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71