半导体电容器装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术题为“半导体电容器装置和方法”。像素的具体实施可包括：至少一个光电二极管，该至少一个光电二极管与浮动扩散部耦合；第一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，该第一MIM电容器包括第一电极和第二电极；和第二MIM电容器，该第二MIM电容器与该第一MIM电容器并联耦合，该第二MIM电容器包括第一电极和第二电极。该第一MIM电容器和该第二MIM电容器可与该浮动扩散部耦合。

【技术实现步骤摘要】
半导体电容器装置和方法相关专利申请的交叉引用此文献要求在12/2/2019提交的RamindaMadurawe的标题为“半导体装置和方法(SemiconductorDevicesandMethods)”的美国临时专利申请62/942,623的申请日的权益，该申请的公开内容在此以引用的方式完全并入本文。
此文献的各方面总体涉及电磁辐射感测装置。更具体的具体实施涉及光图像传感器。
技术介绍
图像传感器用于将入射的电磁辐射转变为对应的电信号。图像传感器封装的各种部件包括准许所要的电磁辐射照射图像传感器的盖子。
技术实现思路
像素的具体实施可包括：至少一个光电二极管，该至少一个光电二极管与浮动扩散部耦合；第一金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，该第一MIM电容器包括第一电极和第二电极；和第二MIM电容器，该第二MIM电容器与该第一MIM电容器并联耦合，该第二MIM电容器包括第一电极和第二电极。该第一MIM电容器和该第二MIM电容器可与该浮动扩散部耦合。像素的具体实施可包括以下项中的一者、全部或任一者：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素，所述像素包括：/n至少一个光电二极管，所述至少一个光电二极管与浮动扩散部耦合；/n第一金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所述第一MIM电容器包括第一电极和第二电极；和/n第二MIM电容器，所述第二MIM电容器与所述第一MIM电容器并联耦合，所述第二MIM电容器包括第一电极和第二电极；/n其中所述第一MIM电容器和所述第二MIM电容器与所述浮动扩散部耦合。/n

【技术特征摘要】
20191202 US 62/942,623;20201123 US 17/101,9811.一种像素，所述像素包括：
至少一个光电二极管，所述至少一个光电二极管与浮动扩散部耦合；
第一金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所述第一MIM电容器包括第一电极和第二电极；和
第二MIM电容器，所述第二MIM电容器与所述第一MIM电容器并联耦合，所述第二MIM电容器包括第一电极和第二电极；
其中所述第一MIM电容器和所述第二MIM电容器与所述浮动扩散部耦合。


2.根据权利要求1所述的像素，其中：
所述第一MIM电容器的所述第一电极耦合到所述第二MIM电容器的所述第二电极；并且
所述第一MIM电容器的所述第二电极耦合到所述第二MIM电容器的所述第一电极。


3.根据权利要求1所述的像素，所述像素还包括高K介电材料，所述高K介电材料包括在所述第一MIM电容器的所述第一电极和所述第二电极之间以及所述第二MIM电容器的所述第一电极和所述第二电极之间。


4.一种像素，所述像素包括：
至少一个光电二极管，所述至少一个光电二极管与浮动扩散部耦合；
第一金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所述第一MIM电容器包括第一电极和第二电极；和
第二MIM电容器，所述第二MIM电容器与所述第一MIM电容器串联耦合，所述第二MIM电容器包括第一电极和第二电极；
其中所述第一MIM电容器和所述第二MIM电容器与所述浮动扩散部耦合。


5.根据权利要求4所述的像素，其中所述第一MIM电容器的所述第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·U·马杜罗维，I·瑞姆，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US