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本发明题为“半导体电容器装置和方法”。像素的具体实施可包括:至少一个光电二极管,该至少一个光电二极管与浮动扩散部耦合;第一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器,该第一MIM电容器包括第一电极和第二电极;和第二MIM电容器,该第二MIM电容器与...该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。
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本发明题为“半导体电容器装置和方法”。像素的具体实施可包括:至少一个光电二极管,该至少一个光电二极管与浮动扩散部耦合;第一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器,该第一MIM电容器包括第一电极和第二电极;和第二MIM电容器,该第二MIM电容器与...