一种源极跟随形式的均衡电路制造技术

一种源极跟随形式的均衡电路，采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源处接出一个电阻R1后连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极后接地；本方案通过NMOS管的gm和C1形成的零点，以及R1，C1和NMOS管的gm形成的极点，以及Av|high和Av|low的不同，达到了均衡的效果，在实现均衡的同时兼顾了共模电平转换的要求。电路简单，面积小，对于衰减不是太大的直流耦合电路尤其适用。

【技术实现步骤摘要】
一种源极跟随形式的均衡电路
本技术涉及均衡电路领域，特别涉及一种源极跟随形式的均衡电路。
技术介绍
现有的均衡电路多采用两种结构形式，一种是无源结构，另一种是共源结构，无源结构的电路如图1，可以看出，无源结构不能提供增益，对于幅度比较小的信号，效果欠佳；共源结构的电路如图2，可以看出，公园结构的电路比较复杂，并且，共源结构的电路对输入的共模电平有一定的要求，如图3是现有共源结构电路的波形图，其中我们根据公式可以得到：而由于因此可以得到，因此我们可以知道，现有技术通过选取不同的RS，CS，和nmos管的gm达到均衡的效果，对于输入的共模电平有一定的要求。
技术实现思路
本技术的目的在于：提供了一种源极跟随形式的均衡电路，利用NMOS管或PMOS管的特性，设计出了一个特殊的电路，解决了上述问题。本技术采用的技术方案如下：方案一：一种源极跟随形式的均衡电路，采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极还通过一个电阻R1后接地；右电路：从第二电源连接到NMOS管NM2的D极连接，NMOS管NM2的G极通过电容C3连接到NMOS管NM2的S极，所述NMOS管NM2的S极通过电容C4后接地，所述NMOS管NM2的S极还通过一个电阻R2后接地；所述NMOS管NM1和NMOS管NM2的PN连接后接地；>所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，NMOS管NM1和NMOS管NM2相同；以NMOS管NM1的G极为高电平输入Vin+，以NMOS管NM1的S极为高电平输出Vo+；以NMOS管NM2的G极为低电平输入Vin-，以NMOS管NM2的S极为低电平输出Vo-。方案二：一种源极跟随形式的均衡电路，所述采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源处接出一个电阻R1后连接到PMOS管PM1的D极连接，PMOS管PM1的G极通过电容C1连接到PMOS管PM1的D极，所述PMOS管PM1的S极接地，所述PMOS管PM1的D极还通过一个电容C2后接地；右电路为：从第二电源处接出一个电阻R2后连接到PMOS管PM2的D极连接，PMOS管PM2的G极通过电容C3连接到PMOS管PM1的D极，所述PMOS管PM1的S极接地，所述PMOS管PM1的D极还通过一个电容C4后接地；所述PMOS管PM1和PMOS管PM2的PN连接后接到第三电源；所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，PMOS管PM1和PMOS管PM2相同；以PMOS管PM1的G极为高电平输入Vin+，以PMOS管PM1的D极为高电平输出Vo+；以PMOS管PM2的G极为低电平输入Vin-，以PMOS管PM2的D极为低电平输出Vo-。两种方案实际上是同一种思路的不同变种，而方案一和二之间是使用NMOS管和PMOS管时的不同电路的区别，这里我们以方案一为例，方案一中，而并且故而本文技术通过NMOS管的gm和C1形成的零点，以及R1，C1和NMOS管的gm形成的极点，以及Av|high和Av|low的不同，达到了均衡的效果，在实现均衡的同时兼顾了共模电平转换的要求。电路简单，面积小，对于衰减不是太大的直流耦合电路尤其适用。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：1.本技术所述的一种源极跟随形式的均衡电路，利用NMOS管或PMOS管的特性，设计出了一个特殊的电路，实现源极跟随形式的均衡技术，减少输入级对共模电平的要求；2.本技术所述的一种源极跟随形式的均衡电路，利用NMOS管或PMOS管的特性，设计出了一个特殊的电路，在实现电平转换的同时，也实现了一定幅度的均衡。附图说明为了更清楚地说明本技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图，其中：图1是本技术的现有技术中的无源结构电路图；图2是本技术的现有技术中的共源结构电路图；图3是本技术的现有技术中的共源结构电路的波形图；图4是本技术的方案一的电路图；图5是本技术的方案二的电路图；图6是本技术的方案输出AC响应曲线；图7是本技术的方案输出的电流的波形图。具体实施方式为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例，因此不应被看作是对保护范围的限定。基于本技术中的实施例，本领域普通技术工作人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；也可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。下面结合图1至图7对本技术作详细说明。实施例1方案一：如图4，一种源极跟随形式的均衡电路，采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极还通过一个电阻R1后接地；右电路：从第二电源连接到NMOS管NM2的D极连接，NMOS管NM2的G极通过电容C3连接到NMOS管NM2的S极，所述NMOS管NM2的S极通过电容C4后接地，所述NMOS管NM2的S极还通过一个电阻R2后接地；所述NMOS管NM1和NMOS管NM2的PN连接后接地；所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，NMOS管NM1和NMOS管NM2相同；以NMOS管NM1的G极为高电平输入Vin+，以NMOS管NM1的S极为高电平输出Vo+；以NMOS管NM2的G极为低电平输入Vin-，以NMOS管NM2的S极为低电平输出Vo-。工作原理：如图6是本实施例所述的方案的输出AC响应曲线；图7是本实施例所述的方案输出的电流的波形图，在方案一中，而并且故而本文技术通过NMOS管的gm和C1形成的零点，以及R1，C1和NMOS管的gm形成的极点，以及Av|high和Av|low的不同，达到了均衡的效果，在实现均衡的同时兼顾了共模电平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种源极跟随形式的均衡电路，其特征在于：采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极还通过一个电阻R1后接地；/n右电路：从第二电源连接到NMOS管NM2的D极连接，NMOS管NM2的G极通过电容C3连接到NMOS管NM2的S极，所述NMOS管NM2的S极通过电容C4后接地，所述NMOS管NM2的S极还通过一个电阻R2后接地；所述NMOS管NM1和NMOS管NM2的PN连接后接地；/n所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，NMOS管NM1和NMOS管NM2相同；以NMOS管NM1的G极为高电平输入Vin+，以NMOS管NM1的S极为高电平输出Vo+；以NMOS管NM2的G极为低电平输入Vin-，以NMOS管NM2的S极为低电平输出Vo-。/n

【技术特征摘要】
1.一种源极跟随形式的均衡电路，其特征在于：采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极还通过一个电阻R1后接地；
右电路：从第二电源连接到NMOS管NM2的D极连接，NMOS管NM2的G极通过电容C3连接到NMOS管NM2的S极，所述NMOS管NM2的S极通过电容C4后接地，所述NMOS管NM2的S极还通过一个电阻R2后接地；所述NMOS管NM1和NMOS管NM2的PN连接后接地；
所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，NMOS管NM1和NMOS管NM2相同；以NMOS管NM1的G极为高电平输入Vin+，以NMOS管NM1的S极为高电平输出Vo+；以NMOS管NM2的G极为低电平输入Vin-，以NMOS管NM2的S极为低电平输出Vo-。

【专利技术属性】
技术研发人员：钱程，
申请(专利权)人：成都天朗电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51