一种抗单粒子瞬态的高电平复位电路制造技术

本发明专利技术公开一种抗单粒子瞬态的高电平复位电路，包括两级以上的缓冲器单元，各级缓冲器单元依次串联连接，各级缓冲器单元中处于末端位置处的末级缓冲器单元为加固缓冲器单元，加固缓冲器单元包括依次连接的与非门电路以及反相器电路，与非门电路包括相互连接的第一晶体管、第二晶体管、延时单元以及第一电阻，反相器电路包括相互连接的第二电阻以及第三晶体管，当输入信号为低电平时，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管均为打开状态。本发明专利技术具有结构简单、成本低、具有抗单粒子瞬态能力、稳定可靠等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种抗单粒子瞬态的高电平复位电路
本专利技术涉及CMOS集成电路
，尤其涉及一种抗单粒子瞬态的高电平复位电路。
技术介绍
在宇宙空间中，存在大量高能粒子(质子、电子、重离子等)。集成电路受到这些高能粒子轰击后，会产生单粒子瞬态脉冲。单粒子瞬态脉冲对于集成电路的正常工作将产生极大的负面影响，例如，当单粒子瞬态脉冲传播至时序电路单元复位端口时，由于时序单元采用异步复位模式，只需满足复位信号最小脉冲宽度即可立刻使时序单元发生复位，改变时序单元所存储的数据值。由于复位信号是一个全局信号，若单粒子瞬态脉冲在复位电路根节点产生，那么就会使得整个集成电路复位，从而造成错误。如L.W.Massengill等人在IEEEtransactiononNuclearScience(IEEE核科学汇刊)上发表的“SingleEventTransientsinDigitalCMOS-AReview”(关于数字CMOS电路中单粒子瞬态的综述，2013年6月第60卷第3期，第1767-1790页)就指出，单粒子瞬态现已成为软错误的一个主要来源。因此，有必要针对复位电路进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗单粒子瞬态的高电平复位电路，包括两级以上的缓冲器单元，各级所述缓冲器单元依次串联连接，其特征在于：各级所述缓冲器单元中处于末端位置处的末级缓冲器单元为加固缓冲器单元，所述加固缓冲器单元包括依次连接的与非门电路以及反相器电路，所述与非门电路包括相互连接的第一晶体管P1、第二晶体管P2、延时单元以及第一电阻R1，所述反相器电路包括相互连接的第二电阻R2以及第三晶体管N1，当输入信号为低电平时，所述第一晶体管P1、第二晶体管P2、第三晶体管N1均为打开状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗单粒子瞬态的高电平复位电路，包括两级以上的缓冲器单元，各级所述缓冲器单元依次串联连接，其特征在于：各级所述缓冲器单元中处于末端位置处的末级缓冲器单元为加固缓冲器单元，所述加固缓冲器单元包括依次连接的与非门电路以及反相器电路，所述与非门电路包括相互连接的第一晶体管P1、第二晶体管P2、延时单元以及第一电阻R1，所述反相器电路包括相互连接的第二电阻R2以及第三晶体管N1，当输入信号为低电平时，所述第一晶体管P1、第二晶体管P2、第三晶体管N1均为打开状态。


2.根据权利要求1所述的抗单粒子瞬态的高电平复位电路，其特征在于：所述与非门电路中，所述第一晶体管P1的栅极、所述延时单元的输入端均连接至输入信号端，所述第一晶体管P1、第二晶体管P2的源极均连接电源，所述第一晶体管P1、第二晶体管P2的漏极均分别连接至所述反相器电路的输入端以及通过所述第一电阻R1接地，所述延时单元的输出端连接至所述第二晶体管P2的栅极。


3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴振宇，刘必慰，梁斌，郭阳，胡春媚，池雅庆，陈建军，黄鹏程，宋睿强，袁珩洲，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43