推挽结构输出电路制造技术

本发明专利技术公开了一种推挽结构输出电路，包括：输入端、输出端、第一电源(VDDH)、第二电源、多级推挽结构电路，所述多级推挽结构电路中包括N个PMOS管和N个NMOS管，N大于等于2，所述推挽结构输出电路还包括辅助电路，所述辅助电路与多级推挽结构电路和第二电源连接，使所述PMOS和NMOS的工作电压都不大于Vmax，Vmax为第二电源电压及第一电源与第二电源电压差中的较高值。

【技术实现步骤摘要】
推挽结构输出电路
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种推挽结构输出电路。
技术介绍
在集成电路设计中，经常会用到推挽结构来作为端口输出电路，常见的推挽结构输出电路如图1所示。根据现有技术，目前常见的输出电路为多级(n≥2)MOS管堆栈的推挽结构输出电路。当第一电源VDDH与第二电源VDDL的电压差较大时，需要使用三级低压晶体管堆栈的推挽结构输出电路。为了满足低压晶体管工作的耐压要求，PG、NG为同相输入信号，电压摆幅均为VDDL。PG端信号的电压范围为VDDH-VDDL到VDDH，NG端信号的电压范围为0到VDDL。OUTPUT为输出电路的输出端，电压范围为0到VDDH。为了避免第二级MOS管MP2和MN2的源漏极电压过大，第一级MOS管MP3和MN3的栅极电压VBIAS1、VBIAS2须通过内部电路产生一组或两组固定偏置电压来提供。进一步地，半导体器件PVT的影响对该部分电路的性能稳定性提出了更大的挑战，增加了电路设计的难度和复杂性，同时也会占用大量版图面积，提高芯片制造成本。另外一种简单解决途径是直接使用单级高压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种推挽结构输出电路，包括：输入端(PG、NG)、输出端(OUTPUT)、第一电源(VDDH)、第二电源(VDDL)、多级推挽结构电路(10)，所述多级推挽结构电路(10)中包括N个PMOS管和N个NMOS管，N大于等于2，其特征在于：/n所述推挽结构输出电路还包括辅助电路(20)，所述辅助电路(20)与多级推挽结构电路(10)和第二电源(VDDL)连接，使所述PMOS和NMOS的工作电压都不大于Vmax，Vmax为第二电源(VDDL)电压及第一电源与第二电源电压差(VDDH-VDDL)中的较高值。/n

【技术特征摘要】
1.一种推挽结构输出电路，包括：输入端(PG、NG)、输出端(OUTPUT)、第一电源(VDDH)、第二电源(VDDL)、多级推挽结构电路(10)，所述多级推挽结构电路(10)中包括N个PMOS管和N个NMOS管，N大于等于2，其特征在于：
所述推挽结构输出电路还包括辅助电路(20)，所述辅助电路(20)与多级推挽结构电路(10)和第二电源(VDDL)连接，使所述PMOS和NMOS的工作电压都不大于Vmax，Vmax为第二电源(VDDL)电压及第一电源与第二电源电压差(VDDH-VDDL)中的较高值。


2.如权利要求1所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述PMOS和NMOS的工作电压是指栅漏电压、栅源电压、源漏电压中的任意一个。


3.如权利要求1所述的推挽结构输出电路，其特征在于：所述多级推挽结构电路(10)为三级，包括3个PMOS管(MP1、MP2、MP3)和3个NMOS管(MN1、MN2、MN3)。


4.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐迪恺，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31