一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路制造技术

本发明专利技术提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路
本专利技术涉及高压电平移位电路，尤其涉及抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路。
技术介绍
传统的高压电平移位电路一般采用双窄脉冲触发结构，首先将输入的长周期脉冲波形转化为上升沿与下降沿对应的两个窄脉冲波形，再利用两个窄脉冲波形周期性的开启两个高压LDMOS功率晶体管，进而实现电平从低压到高压的移位，最终通过RS触发器对输入的波形周期进行重建。航天器在轨期间，空间高能重离子入射高压LDMOS器件，通过电离相互作用可以在器件内部沉积大量电子空穴对，在电场的作用下电子空穴对将往两极运动，进而产生单粒子瞬态效应。单粒子瞬态脉冲能够引起传统高压电平移位电路发生误触发，进而导致功率输出级晶体管发生直通，严重威胁航天器的在轨安全。
技术实现思路
本专利技术提供的抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，以解决现有技术中存在的单粒子瞬态效应对电压电平移位电路的影响，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路的共模噪声，具有极大的应用价值。为解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，其特征在于，包括第一输入端口、第二输入端口、第一电平移位支路、第二电平移位支路、高压偏置端口、RS触发器、驱动电路和输出端口；所述第一电平移位支路包括第一LDMOS晶体管、第四LDMOS晶体管、第一电压钳位电路、第四电压钳位电路、第一或门和第一滤波电路；所述第一输入端口连接所述第一LDMOS晶体管的栅极、所述第四LDMOS晶体管的栅极；所述第一LDMOS晶体管的源极、所述第四LDMOS晶体管的源极均接地；所述第一LDMOS晶体管的漏极通过所述第一电压钳位电路连接所述高压偏置端口；所述第四LDMOS晶体管的漏极通过所述第四电压钳位电路连接所述高压...

【技术特征摘要】
1.一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，其特征在于，包括第一输入端口、第二输入端口、第一电平移位支路、第二电平移位支路、高压偏置端口、RS触发器、驱动电路和输出端口；所述第一电平移位支路包括第一LDMOS晶体管、第四LDMOS晶体管、第一电压钳位电路、第四电压钳位电路、第一或门和第一滤波电路；所述第一输入端口连接所述第一LDMOS晶体管的栅极、所述第四LDMOS晶体管的栅极；所述第一LDMOS晶体管的源极、所述第四LDMOS晶体管的源极均接地；所述第一LDMOS晶体管的漏极通过所述第一电压钳位电路连接所述高压偏置端口；所述第四LDMOS晶体管的漏极通过所述第四电压钳位电路连接所述高压偏置端口；所述第一LDMOS晶体管的漏极、所述第四LDMOS晶体管的漏极分别连接所述第一或门的两个输入端；所述第一或门的输出端连接所述第一滤波电路的输入端；所述第二电平移位支路包括第二LDMOS晶体管、第三LDMOS晶体管、第二电压钳位电路、第三电压钳位电路、第二或门和第二滤波电路；所述第二输入端口连接所述第二LDMOS晶体管的栅极、所述第三LDMOS晶体管的栅极；所述第二LDMOS晶体管的源极、所述第三LDMOS晶体管的源极均接地；所述第二LDMOS晶体管的漏极通过所述第二电压钳位电路连接所述高压偏置端口；所述第三LDMOS晶体管的漏极通过所述第三电压钳位电路连接所述高压偏置端口；所述第二LDMOS晶体管的漏极、所述第三LDMOS晶体管的漏极分别连接所述第二或门的两个输入端；所述第二或门的输出端连接所述第二滤波电路的输入端；所述第一滤波电路的输出端、所述第二滤波电路的输出端分别所述RS触发器的一个输入端连接；所述RS触发器的输出端与所述驱动电路的输入端连接；所述驱动电路的输出端与所述输出端口连接。


2.如权利要求2所述的抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，其特征在于，还包括噪声检测锁定电路；所述噪声检测锁定电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘天奇，蔡畅，陈更生，杨广文，甘霖，
申请(专利权)人：国家超级计算无锡中心，
类型：发明
国别省市：江苏;32