一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体器件制备领域，更具体地，涉及一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法。本发明专利技术制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上依次沉积底部电极、阻变层和顶部电极，获得若干个单器件忆阻器；(2)对每个单器件忆阻器进行电预处理；(3)在衬底上沉积金属，通过金属使得单器件忆阻器之间连接，获得忆阻器交叉阵列。本发明专利技术制备方法，采用光刻技术和物理或化学沉积技术首先制备大批交叉电极的忆阻器，并对每个器件进行电预处理，得到单器件的稳定状态，避免了由于电预处理的大电压带来的影响，器件结构简单、性能良好且稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法
本专利技术属于半导体器件制备领域，更具体地，涉及一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法。
技术介绍
自从惠普实验室于2008年首次制备出忆阻器以来，近些年忆阻器已经成为信息存储和类脑计算领域的研究热点。众所周知，人脑由大约1011个神经元通过1015个突触相互连接在一起，形成具有信息存储和计算功能的复杂神经网络。目前单个忆阻器就可以代替由数十个晶体管与电容组合的CMOS器件，并实现神经突触的功能模拟。然而单个忆阻器只局限于单个突触的功能模拟，与之相应的忆阻器阵列由更多器件组成，能够提高人工神经网络的密度，运行更多类脑计算功能。在导电细丝型忆阻器中，器件初始阻值往往为高阻，需要对器件进行电预处理，形成稳定可调节的导电细丝，从而产生稳定的阻变现象。一般电预处理的电压较大，容易对器件造成不可恢复的伤害，而直接在阵列中对器件进行电预处理，会对其他并联器件产生影响，从而造成阵列中器件性能的不稳定。与直接制备忆阻器交叉阵列、再进行电预处理的方法相比，采用先对单器件进行电预处理得到稳定性能器件、再连接单器件制备忆阻器交本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)在衬底上依次沉积底部电极、阻变层和顶部电极，获得若干个单器件忆阻器；/n(2)对每个单器件忆阻器进行电预处理；/n(3)在衬底上沉积金属，通过金属使得单器件忆阻器之间连接，获得忆阻器交叉阵列。/n

【技术特征摘要】
1.一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在衬底上依次沉积底部电极、阻变层和顶部电极，获得若干个单器件忆阻器；
(2)对每个单器件忆阻器进行电预处理；
(3)在衬底上沉积金属，通过金属使得单器件忆阻器之间连接，获得忆阻器交叉阵列。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述沉积是指物理沉积或化学沉积，所述沉积是指先在衬底上光刻出图案，然后在图案区域进行沉积。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述图案是采用光刻技术，通过显影液显影产生的。


4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述顶部电极和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭新，邵哲元，黄鹤鸣，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42